КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА И ОЧИСТКИ ИСХОДНЫХ ВЕЩЕСТВ

Из материала предыдущих глав ясно, насколько рост крис­талла может быть чувствителен к составу маточной среды. Вместе с тем некоторые кристаллы, например алюмокалиевых квасцов, прекрасно растут при использовании веществ и растворителя (воды) любой разумной степени чистоты. Поэтому заниматься очисткой вещества нужно только тогда, когда известно, что имею­щиеся примеси действительно оказывают отрицательное влияние на рост, так как процессы очистки трудоемки и ведут к большим потерям вещества.

Мы не можем рекомендовать химический анализ вещества, чтобы, установив его состав, потом вещество очищать. Если анализ и проведен, мы не знаем заранее, от чего очищать, а от всего очистить практически невозможно, как невозможен анализ на все примеси (таковыми могут быть с точки зрения их влияния на рост не только отдельные химические элементы, но и органические и не­органические соединения). Таким образом, очищать вещество сле­дует не вообще, не от всех примесей, а только от тех, которые вре­дят качеству кристалла. Поэтому единственные на первой стадии по выращиванию кристаллов критерии пригодности реактивов —

особенности морфологии получаемых кристаллов и скоростей их роста.

На наличие активных примесей указывают (гл. 1 и § 3.10): фарфоровидность кристалла, расщепление, антискелетный рост, выросты, многоглавый рост, дендриты, скручивание, блочность, сферолитообразование. На влияние примеси указывает также из­вилистый характер слоев роста на гранях. Масштабы развития де­фектности, в общем, пропорциональны содержанию примеси в среде. Поэтому во многих случаях можно характеризовать влия­ние примеси численно (скажем, по количеству блоков субиндиви­дов на единицу площади грани).

Скорости роста кристаллов при наличии вредных примесей имеют следующие особенности, которые необходимо выявить по отдельности для всех присутствующих в данных условиях на крис­талле граней разных простых форм:

— наличие «мертвой зоны» (§ 1.7). Существование мертвой зоны следует проверять в первую очередь, так как интервал тем­ператур, в котором не отмечается ни роста, ни растворения, яв­ляется хорошей мерой степени загрязненности раствора приме­сями, тормозящими рост кристалла;

— падение скорости роста со временем в условиях постоянства пересыщения, вызываемое накоплением примеси на поверхности кристалла;

— колебания скоростей роста во времени, поскольку известны факты (§ 1.7), что примесь вызывает такие колебания.

Кристаллизация для проверки качества реактивов осущест­вляется с помощью методик, описанных в § 2.2. Понятно, что, про­веряя по росту кристаллов качество исходных реактивов, мы без специальных опытов не можем сказать, что, собственно, загряз­нено: кристаллизуемое вещество или растворитель.

Проблеме очистки твердых веществ и растворителей уделено в литературе много внимания: см., например, Б. Д. Степин и др. [1969 г.], А. Я. Берлин (1973 г.], П. И. Воскресенский [1973 г.]. По­этому повторять здесь рассмотрение всех известных способов и приемов очистки нецелесообразно. Остановимся лишь на некото­рых особенностях очистки веществ применительно к выращиванию кристаллов.

Для выращивания крупных однородных монокристаллов реак­тивы стандартных квалификаций, употребляемые в химической практике (х. ч., ч. д. а., не говоря уже о квалификациях чистый, технический), оказываются в большинстве случаев неудовлетвори­тельными по чистоте. Реактивов с приемлемыми для выращивания квалификациями — спектрально чистый (сп. ч.), особо чистый (ос. ч.), «для монокристаллов» — изготавливается очень мало на­именований и они дороги. Кроме того, реактивы особо чистые в от­ношении неорганических примесей сплошь и рядом бывают загряз­нены активными органическими примесями, попадающими туда в ходе их очистки при изготовлении (см. дальше).

Характер загрязнения веществ может быть различным. Во-пер­вых, вещество содержит механические, коллоидные и бактериаль­ные частицы, нерастворимые в применяющемся растворителе. Важная роль, которую играет органическая пыль в процессе зародышеобразования в растворах, была очень изящно показана в ра­боте Э. Д. Рогачевой и А. В. Белюстина [1965]. Во-вторых, веще­ство содержит растворимые химические примеси.

Очистка от нерастворимых примесей производится обычно пу­тем фильтрации рабочего раствора. Как правило, это растворы с температурой насыщения выше комнатной, в ряде случаев дости­гающей 90° С. Фильтрацию производят с помощью устройств, опи­санных в § 5.6; смотря по необходимости, ее осуществляют через фильтровальную бумагу, стеклянные пористые фильтры или через керамические фильтры (для коллоидных и бактериальных частиц). Последние задерживают частицы размером более 1 мкм.

Фильтрация обычно предшествует следующему этапу — очистке вещества от растворимых примесей путем перекристаллизации. Поскольку коэффициент распределения примеси может быть как больше, так и меньше единицы, т. е. кристаллы при их образова­нии могут как обогащаться, так и обедняться примесями, причем неизвестно, какие из них отрицательно влияют на рост кристаллов данного вещества, то рекомендуется следующая тактика выбора оптимального пути очистки перекристаллизацией. На первом этапе работы устанавливается, что является более чистым после пере­кристаллизации — раствор или выросшие из него кристаллы. Для этого приготавливается раствор, насыщенный по возможности при более высокой температуре, но такой, чтобы она не приводила к его разложению. Этот раствор охлаждают, и в нем идет кристал­лизация. Охлаждение лучше производить медленно, с перемеши­ванием. Образующиеся при этом кристаллы меньше захватывают включений раствора, и разделение примеси происходит более полно. Для замедления охлаждения кристаллизатор ставят в боль­шой сосуд с подогретой до температуры насыщения раствора во­дой, вместе с которой затем кристаллизатор охлаждается. После полного охлаждения взмученный раствор выливают на фильтр. Профильтрованный осадок промывают на фильтре небольшим ко­личеством растворителя, чтобы убрать оставшийся на кристаллах раствор.

Исходный объем раствора в описанном процессе должен быть таким, чтобы как количество выпавшего из него вещества было достаточным для приготовления порции раствора для микроско­пических исследований, так и оставшейся после перекристаллизации порции раствора хватило для таких исследований. Очевидно, что мы можем получить тем больше перекристаллизованного ве­щества, чем больше температурный коэффициент растворимости и чем больше разность между начальной и конечной температу­рами кристаллизации.

Температуру насыщения обоих исследуемых растворов следует выбирать вблизи той температуры, при которой предполагается

выращивать монокристаллы. В случае, когда раствор, оставшийся после перекристаллизации, ненасыщен при выбранной темпера­туре микроскопических наблюдений, его выпаривают до насыще­ния при этой температуре.

Если на основании изучения роста малых кристаллов лучшим оказался раствор, приготовленный из перекристаллизованного ве­щества, то вредная примесь имеет k<1, если оставшийся после перекристаллизации раствор, то k>1. Если из нового раствора, приготовленного на перекристаллизованном веществе, кристаллы растут лучше — примесь находилась раньше в этом веществе. Если улучшение качества наблюдается при образовании кристаллов из оставшегося после перекристаллизации раствора, то в принципе такая примесь могла находиться и в растворителе, и в растворен­ном веществе (т. е. образующиеся при перекристаллизации крис­таллы либо «вытянули» из растворителя указанную примесь, либо примесь с самого начала была в данном веществе).

Способы очистки больших количеств вещества несколько раз­личаются для разных типов примесей.

Для k<1 проводят медленное с перемешиванием охлаждение раствора от максимальной до минимально возможной темпера­туры, а выделившееся вещество используют после его промывки на фильтре холодным растворителем и высушивания. Если же k>1, то для более полного извлечения примеси кристаллизую­щимся веществом охлаждение проводят еще более замедленно, также с перемешиванием. Кристаллизацию прекращают до того, как температура снизилась до комнатной, и выделившуюся твер­дую фазу отделяют от раствора. Температура конца процесса охлаждения и отделения очищенного раствора от загрязненного вещества подбирается при помощи той же микроскопической мето­дики изучения роста пробного кристалла.

Если первая перекристаллизация дала хотя и положительный, но недостаточный эффект, производят вторую перекристаллиза­цию. Известны примеры, когда требуемого результата удавалось добиться лишь при многократной перекристаллизации.

Растворение осадка в простейшем случае каждый раз ведется в новой порции растворителя. Более экономичные схемы процесса многократной перекристаллизации, применяемые в промышлен­ности, описаны Дж. В. Маллином [1965 г.].

Заметим, что при последующих кристаллизациях происходит быстрое сокращение массы очищаемого вещества. Поэтому нужно еще при пробных перекристаллизациях дойти до удовлетворяющей чистоты раствора, оценив, сколько операций надо сделать и сколько вещества нужно взять вначале для получения на выходе необходимого количества вещества.

Надо иметь также в виду, что каждая последующая перекрис­таллизация менее эффективна, чем предыдущая, так как чем меньше остается примеси, тем труднее от нее избавиться. Кроме того, перекристаллизация тем более эффективна, чем меньше кристаллохимическое сродство примеси и частиц, слагающих кристалл.

Не следует пытаться очищать перекристаллизацией вещество, в котором находится изоморфная примесь. Нельзя, например, та­ким путем очистить алюмокалиевые квасцы от примеси хромовых квасцов.

Оставшийся раствор или вещество, обогащенные примесью, либо уничтожают, либо, если вещество ценное, сохраняют (рас­твор выпаривается). Оставшееся вещество, поскольку оно со­держит повышенное количество примеси, для дальнейшего ис­пользования в целях кристаллизации требует дополнительной очистки.

Легколетучие вещества, например ацетоксим, пентаэритрит, лучше очищать перегонкой. Температура нагрева должна контро­лироваться, чтобы избежать разложения вещества. Очистка веще­ства от примесей может производиться также и химическим путем. В этом случае примеси осаждаются с помощью тех реактивов, ко­торые используются в качественном анализе для их открытия. Если примеси поступают из кристаллизационной аппаратуры, их делают неактивными, применяя комплексообразователи, дающие в растворе прочные соединения с примесями (препятствуя тем са­мым воздействию примесей на рост кристаллов). В ряде случаев можно использовать также извлечение (экстракцию) примесей жидкостью, не смешивающейся с растворителем (особенно если идет речь о продуктах осмоления органических или металлоорганических реактивов).

Имеются и другие способы очистки вещества. К ним принадле­жат способы очистки зонной плавкой и с помощью сорбентов, в частности с помощью ионообменников. Зонная плавка широко применяется для получения высокочистых материалов [Вильке К.-Т., 1977].

Принцип зонной плавки заключается в следующем. Насыпан­ное в трубку вещество расплавляют и затем кристаллизуют. Обра­зуется слиток. Трубку нижней частью помещают в короткую ци­линдрическую печь. Вещество в трубке плавится на уровне печи. Затем трубку медленно опускают. По мере ее продвижения зона расплавленного вещества перемещается вверх, а внизу вещество кристаллизуется. При этом происходит оттеснение примеси с k<1 вверх. При высоких требованиях к чистоте материала процесс по­вторяют несколько раз. Скорость опускания трубки, температуры нагрева и охлаждения подбирают экспериментально. Наиболее чистый материал получается при использовании так называемых бестигельных вариантов зонной плавки. В этом случае через узкую высокотемпературную зону проходит стержень из очища­емого вещества. В такой зоне происходит проплавление стержня, но расплав, удерживаемый поверхностным натяжением, не выте­кает.

Способы очистки вещества с помощью ионообменников изло­жены в химической литературе [Юрьев Ю. К., 1964 г.; Гриссбах Р., 1963 г.]. Надо заметить, что ионообменники опасны в смысле за­грязнения очищаемого вещества активными органическими примесями,

так как сшивка полимера-ионообменника никогда не бывает 100%-ной и низкомолекулярные компоненты легко переходят в рас­твор. Вообще при выборе метода очистки исходных веществ от тех или иных посторонних примесей всегда следует помнить о том, что часто, избавляясь от одних, менее вредных примесей, мы ненаме­ренно можем ввести в систему другие — намного более вредные микропримеси, которые, будучи в растворе даже в ничтожно ма­лых концентрациях, сводят на нет предпринятые усилия или даже приводят в негодность «очищаемое» вещество. Так, следует счи­таться с тем, что при обработке раствора даже хорошо отмытым активированным углем из него могут выщелачиваться гумусовые кислоты, в ряде случаев отрицательно влияющие на рост кристал­лов. Это наблюдается при попытке очистить КС1.

Адсорбционные методы очистки активированным углем или другими сорбентами осуществляются обычно в сочетании с пере­кристаллизацией.

Очистка растворителя производится, как правило, перегонкой. Возможно, что для очистки воды потребуется неоднократная ее перегонка, так как даже дистиллированная вода продолжает удер­живать примеси, количество которых может оказаться чувстви­тельным для роста кристаллов. По очистке перегонкой имеется обстоятельная монография [Крель Э., 1980 г.]. Очистка большого количества органических растворителей описана, например, А. Вайсбергером и др. [1958 г.].

Хороший эффект дает вымораживание примесей из раствори­теля. Сосуд с растворителем замораживают, постепенно опуская в холодильник.

Представление о степени загрязнения растворителя дает опре­деление его температуры кипения или температуры замерзания. Чем больше она отличается от табличной, тем больше, в общем, загрязнен данный растворитель.

Эффективный способ получения реактива улучшенного каче­ства — это его синтез собственными силами из веществ достаточно высокой квалификации чистоты.

Для выращивания большинства встречающихся на практике кристаллов, особенно если размер выращиваемого кристалла не превышает первых сантиметров, вполне достаточным оказывается применение обычной дистиллированной воды или перегнанных ор­ганических растворителей, одно—трехкратная прямая или обратная перекристаллизация вещества с параллельной или последующей очисткой активированным углем. Если после такой подготовки кристалл все же имеет недостаточно удовлетворительное качество, то следует тем не менее попытаться подобрать благоприятные условия роста, такие как температура, пересыщение, способ креп­ления затравки, динамика движения раствора и т. п. И только в том случае, когда подобрать благоприятные условия не удается, следует вновь вернуться к дополнительной очистке или подбору примесей, нейтрализующих вредное действие тех компонентов, ко­торые содержатся в маточной среде.