OR (ИЛИ) — логическое сложение
Команда выполняет поразрядную дизъюнкцию (логическое сложение — операцию «ИЛИ») битов двух чисел; устанавливает 1 в тех битах результата, в которых была 1 хотя бы у одного из исходных операндов.
a | ||||
b | ||||
a OR b |
AND (И) — логическое умножение
Команда выполняет поразрядную конъюнкцию (логическое умножение — операцию «И») битов двух чисел; устанавливает 1 в тех битах результата, в которых у обоих исходных операндов были 1.
a | ||||
b | ||||
a AND b |
XOR (исключающее ИЛИ)
Команда выполняет операцию сложения по модулю 2 (отрицание равнозначности), устанавливает 1 в тех битах результата, в которых исходные числа отличались друг от друга.
a | ||||
b | ||||
a XOR b |
NOT ( НЕ) — операция отрицания
Команда устанавливает обратное значение битов в числе (операция инверсии).
a | ||
NOT a |
Вопросы для самопроверки
1. Что такое система счисления?
2. Какие системы счисления используются для представления информации в компьютерах?
3. Дайте краткую характеристику форм представления информации с фиксированной и плавающей запятой (точкой).
4. Дайте краткую характеристику кодов алгебраического представления чисел (прямого, обратного, дополнительного).
5. Выполните ряд операций сложения и умножения чисел в дополнительных кодах с фиксированной и плавающей запятой (точкой).
6. Назовите наименования основных двоичных совокупностей в компьютерах и определите их размер.
7. Что такое поля данных постоянной и переменной длины? Какова их разрядность в персональных компьютерах?
8. Что такое ASCII-коды? Приведите их структуру и укажите назначение.
9. Что такое алгебра логики и какова область ее применения?
10. Рассмотрите сферу использования алгебры логики в компьютерных системах.
11. Разберите процесс логического синтеза вычислительных схем.
12. Рассмотрите взаимные структурные конструкции логических схем OR, AND, NOT и NAND.
13. Назовите некоторые системы электронных элементов, на базе которых конструировались компьютеры.
14. В чем специфика элементов транзисторно-транзисторной логики?
15. Какие основные способы и технологии используются для обеспечения возможности повышения тактовой частоты микросхем?
16. Что представляет собой элемент оперативной памяти на полевых транзисторах?
17. В чем особенности структуры элемента флэш памяти?
18. Что такое триггер? Нарисуйте его логическую структуру.
19. Рассмотрите принцип хранения информации на магнитных элементах FeRAM и МRAM.
20. Выполните логические операции OR, AND, XOR и NOT над двоичными числами.
[1] Различные более хитрые способы кодирования десятичных цифр внутри тетрады обусловлены избыточностью кодирования и применяются для автоматического обнаружения ошибок и сбоев в вычислениях.
[2] Кодировка непечатаемых (управляющих) символов зависит от используемого текстового редактора.
[3] Первоначально полевые транзисторы назывались МДП транзисторами (металл-диэлектрик-проводник), но, поскольку в качестве диэлектрика стал использоваться оксид кремния, их переименовали в МОП транзисторы. Но вероятно в ближайшее время придется вернуться к их первоначальному названию, ибо в качестве изолятора начинает использоваться другой более эффективный диэлектрик, обладающий меньшей, чем оксид диэлектрической проницаемостью и тем самым создающий меньшие величины паразитных емкостей между электродами.
[4]КМОП схемы называют также КМОП транзисторами, что строго говоря не совсем верно. Но в целях более компактного их названия иногда этот термин будем применять и мы.
[5] Диоды Шотки, использующие этот барьер, проводят ток только в одном направлении, а в другом направлении даже создают запирающий потенциал. Эти диоды известны очень давно и использовались в 40-50-е годы прошлого века в весьма популярных тогда детекторных радиоприемниках, не требующих для своей работы источника электрического питания (необходимое напряжение для прослушивания местных радиостанций через наушники как раз и создает потенциал барьера Шотки).
[6] В последние годы вместо диффузии используется метод ионной имплантации или ионного легирования. В этом процессе пары легирующего вещества ионизируются и разгоняются в сильном электрическом поле для проникновения через микро-дырки в полупроводник.
Дата добавления: 2016-04-02; просмотров: 1450;