XV. Схема с делителем напряжения
Обеспечение режима работы транзистора по току
XIII. С гасящим сопротивлением
Достоинство схемы: минимум элементов, дешевизна схемы.
Недостаток: схема критична к замене транзистора.
IK = h21ЭIБ
IБП = IБО + IK.обр
При увеличении температуры происходит увеличение обратного тока коллектора – он удваивается на каждые 10С
Пример: дан кремниевый транзистор
Ikооб. ≈ 2 мкА
h21Э= 100
∆ Т = 40ْ С
∆ IKБО = 2*24-2=30 мкА
∆ IK = h21* ∆ IKБО = 100*30= 3 мА
Схема с ОЭ обладает низкой температурной стабильностью.
XIV. Схема с отрицательной обратной связью по напряжению
Эта схема более температурно стабильна. Поскольку через сопротивление R1 часть возмущения передается на базу транзистора и возвращает в исходное состояние рабочую точку.
XV. Схема с делителем напряжения
Поскольку в системе уравнений содержится три уравнения с четырьмя неизвестными, система неразрешима и прибегаем к допущению.
Iд = (5/10)* Iбп - для маломощного транзистора
Iд = (2/5)* Iбп - для мощного транзистора
Iд ≤ (10%/15%)* Iбп - в этом случае схема экономична
Решаем систему:
Достоинства: более высокая температурная стабильность по сравнению с вышерассмотренными схемами. Чем больше Iд , тем ниже КПД и наоборот.
XVI. Схема с ООС
Дано:
Решение:
Эта схема обладает наилучшими температурными свойствами.
Контур ООС:
Рабочая точка стабилизирована, т.е. при увеличении Iб из-за нагревания транзистора одновременно увеличивается Ik, т.к. IKП = h21* IБП.
Следовательно падения напряжения на R4 так же увеличивается. В то время как падение напряжения на R2 от токов транзистора не зависит и остается постоянным. Эти напряжения связаны (*), откуда следует, что Uбэп уменьшается, т.е. происходит стабилизация рабочей точки.
Рассчитаем параметры схемы.
Для решения данной системы принимаем следующие допущения:
I
Iд = (5/10)* Iбп - для маломощного транзистора
Iд = (2/5)* Iбп - для мощного транзистора
II
Каскад с ОЭ
Если на базу n-p-n транзистора подается мгновенное напряжение Uбэ с положительной полярностью, полное напряжение на базе увеличивается, в результате чего возрастают все токи. Если под действием напряжения сигнала ток, например коллектора, увеличивается, то его постоянная составляющая IK складывается с переменной ik , совпадающей по направлению с IK . У каскада с p-n-p транзистором за счет входного напряжения положительной полярности полное напряжение на базе Uбэ становится менее отрицательным, т.е. уменьшается по абсолютному значению.
Направление переменной составляющей ik обуславливает мгновенную полярность выходного напряжения Uкэ , противоположную полярности входного напряжения Uбэ , т.е. каскад с ОЭ, его полярность меняется на противоположную.
Т.Е у каскада с ОЭ: 0<K<|K21Э|
Обычно в рабочих режимах коэффициент усиления каскада с ОЭ изменяется от нескольких единиц до нескольких десятков.
Коэффициент усиления тока ,будет наибольшим при RН=0 и достигает
Т.о. каскад с ОЭодновременно усиливает U и I. При этом коэффициент усиления мощности Kp=K*K1 можно получить порядка тысячи и даже десятков тысяч (при хорошем согласовании).
Входное сопротивление каскада с ОЭ в области малых частот f→0
У маломощных транзисторов 300-3000 Ом, у мощных – 10 Ом.
Выходное сопротивление каскада с ОЭ является функцией сопротивления источника сигнала и приблизительно равно нескольким десяткам кОм.
При повышении f усилительные свойства транзистора, зависящие не только от Rr, но и от RН, ухудшаются.
Полоса пропускания ограничена инерционными процессами ,происходящими в транзисторе . с повышением f, h21 уменьшается.
f21 – предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
На граничной частоте передаче тока в схеме с ОЭ h21(f) = 1, при этом f = h21*f h21
Например, в справочнике для транзистора КТ345Б указана обусловленная частота
f = 100* 3,5 = 35 МГц
Каскад с ОЭ
Направление переменных составляющих токов совпадает с направлением постоянных составляющих.
В соответствии с направлением переменной составляющей коллекторного тока выходное напряжение оказывается такой же полярности, что и входное.
Каскад с ОБ не инвертирующий каскад.
<== предыдущая лекция | | | следующая лекция ==> |
Память как деятельность. | | | Правовой статус физического лица (индивида) |
Дата добавления: 2016-03-30; просмотров: 2430;