XV. Схема с делителем напряжения

Обеспечение режима работы транзистора по току

XIII. С гасящим сопротивлением

Достоинство схемы: минимум элементов, дешевизна схемы.

Недостаток: схема критична к замене транзистора.

IK = h21ЭIБ

IБП = IБО + IK.обр

При увеличении температуры происходит увеличение обратного тока коллектора – он удваивается на каждые 10С

Пример: дан кремниевый транзистор

Ikооб. ≈ 2 мкА

h21Э= 100

Т = 40ْ С

IKБО = 2*24-2=30 мкА

IK = h21* ∆ IKБО = 100*30= 3 мА

Схема с ОЭ обладает низкой температурной стабильностью.

XIV. Схема с отрицательной обратной связью по напряжению

Эта схема более температурно стабильна. Поскольку через сопротивление R1 часть возмущения передается на базу транзистора и возвращает в исходное состояние рабочую точку.

XV. Схема с делителем напряжения

Поскольку в системе уравнений содержится три уравнения с четырьмя неизвестными, система неразрешима и прибегаем к допущению.

Iд = (5/10)* Iбп - для маломощного транзистора

Iд = (2/5)* Iбп - для мощного транзистора

Iд ≤ (10%/15%)* Iбп - в этом случае схема экономична

Решаем систему:

Достоинства: более высокая температурная стабильность по сравнению с вышерассмотренными схемами. Чем больше Iд , тем ниже КПД и наоборот.

 

XVI. Схема с ООС

Дано:

Решение:

Эта схема обладает наилучшими температурными свойствами.

Контур ООС:

Рабочая точка стабилизирована, т.е. при увеличении Iб из-за нагревания транзистора одновременно увеличивается Ik, т.к. IKП = h21* IБП.

Следовательно падения напряжения на R4 так же увеличивается. В то время как падение напряжения на R2 от токов транзистора не зависит и остается постоянным. Эти напряжения связаны (*), откуда следует, что Uбэп уменьшается, т.е. происходит стабилизация рабочей точки.

Рассчитаем параметры схемы.

Для решения данной системы принимаем следующие допущения:

I

Iд = (5/10)* Iбп - для маломощного транзистора

Iд = (2/5)* Iбп - для мощного транзистора

II

Каскад с ОЭ

 

Если на базу n-p-n транзистора подается мгновенное напряжение Uбэ с положительной полярностью, полное напряжение на базе увеличивается, в результате чего возрастают все токи. Если под действием напряжения сигнала ток, например коллектора, увеличивается, то его постоянная составляющая IK складывается с переменной ik , совпадающей по направлению с IK . У каскада с p-n-p транзистором за счет входного напряжения положительной полярности полное напряжение на базе Uбэ становится менее отрицательным, т.е. уменьшается по абсолютному значению.

Направление переменной составляющей ik обуславливает мгновенную полярность выходного напряжения Uкэ , противоположную полярности входного напряжения Uбэ , т.е. каскад с ОЭ, его полярность меняется на противоположную.

 

 

Т.Е у каскада с ОЭ: 0<K<|K21Э|

Обычно в рабочих режимах коэффициент усиления каскада с ОЭ изменяется от нескольких единиц до нескольких десятков.

Коэффициент усиления тока ,будет наибольшим при RН=0 и достигает

Т.о. каскад с ОЭодновременно усиливает U и I. При этом коэффициент усиления мощности Kp=K*K1 можно получить порядка тысячи и даже десятков тысяч (при хорошем согласовании).

Входное сопротивление каскада с ОЭ в области малых частот f→0

У маломощных транзисторов 300-3000 Ом, у мощных – 10 Ом.

Выходное сопротивление каскада с ОЭ является функцией сопротивления источника сигнала и приблизительно равно нескольким десяткам кОм.

При повышении f усилительные свойства транзистора, зависящие не только от Rr, но и от RН, ухудшаются.

 

Полоса пропускания ограничена инерционными процессами ,происходящими в транзисторе . с повышением f, h21 уменьшается.

f21 – предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.

На граничной частоте передаче тока в схеме с ОЭ h21(f) = 1, при этом f = h21*f h21

Например, в справочнике для транзистора КТ345Б указана обусловленная частота

f = 100* 3,5 = 35 МГц

 

 

Каскад с ОЭ

 

Направление переменных составляющих токов совпадает с направлением постоянных составляющих.

В соответствии с направлением переменной составляющей коллекторного тока выходное напряжение оказывается такой же полярности, что и входное.

Каскад с ОБ не инвертирующий каскад.

 


<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Память как деятельность. | Правовой статус физического лица (индивида)




Дата добавления: 2016-03-30; просмотров: 1587; ЗАКАЗАТЬ НАПИСАНИЕ РАБОТЫ


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию, введите в поисковое поле ключевые слова и изучайте нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам понравился данный ресурс вы можете рассказать о нем друзьям. Сделать это можно через соц. кнопки выше.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2021 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.009 сек.