Параметры полевых транзисторов

1) Входное сопротивление - (сотни кОм – единицы Мом).

2) Внутреннее сопротивление представляет собой выходное дифференциальное сопротивление транзистора. Наибольшее значение достигается в пологой части характеристики и составляет десятки-сотни кОм.

3) Крутизна характеристики определяет наклон сток-затворной характеристики в заданной рабочей точке и показывает скорость нарастания тока стока, т.е. насколько изменится ток стока при изменении Uзи на 1 В.

4) Коэффициент усиления по напряжению определяет потенциальные возможности транзистора как усилительного элемента и достигает значений в несколько сотен раз.

5) Крутизна характеристики по подложке показывает, на сколько нужно изменить напряжение на затворе, чтобы при изменении напряжения на подложке ток стока остался неизменным (Sп = 0,1…1 мА/В).

6) Напряжение отсечки Uзи отс – напряжение, при котором происходит перекрытие канала (0,2…10 В).

7) Пороговое напряжение Uзи пор – напряжение, при котором происходит инверсия приповерхностного слоя и образование канала (1…6 В).

8) Начальный ток стока Iс нач – ток стока при нулевом напряжении Uзи и при Uси, равном или превышающем напряжение насыщения.

9) Напряжение насыщения Uси нас – напряжение на стоке, при котором происходит перекрытие канала.

10) Обратные токи истокового Iио и стокового Iсо переходов – токи, протекающие при перекрытии канала, т.е. при напряжении на затворе Uзи отс.

11) Максимальная частота усиления fмакс – частота, на которой коэффициент усиления по мощности равен единице (десятки - сотни МГц).

ЛИТЕРАТУРА

Основная

1. Касаткин В.С., Немцов М.В., Электротехника. - М.; Энергоатомиздат, 2000.

2. Основы промышленной электроники /Под ред. В.Г. Герасимова.- М.: Высшая школа, 1985.

3. Основы теории цепей; Учебник для ВУЗов. /В.П.Бакалов и др. 2-ое изд. перераб. и доп. – М.; 2000.

4. Сборник задач по электротехнике и основам электроники / Под ред. В.Г. Герасимова.- М.: Высшая школа, 1987.

5. Прянишников В.А. Электроника. - СПб; Корона принт, 2002.

6. Хоровиц П., Хилл У.. Искусство схемотехники.- М.:Мир, 1997.

7. Амочаева Г.Г. Электронный конспект лекций.

Дополнительная

1. Алексеенко А.Г., Шагурин Н.И. Микросхемотехника. Учебное пособие для вузов.- М.: Радио и связь, 1990.

2. Жеребцов И.П. Основы электроники.- Л.: Энергоатомиздат, 1990.

3. Попов В.П., Основы теории цепей.- Учебник для ВУЗов.- 3-е изд. испр.-М.: Высшая школа, 2000.

4. Электротехника и электроника в экспериментах и упражнениях: Практикум на Electronics Workbench. в 2-х томах, Под ред. Д.И. Панфилова ДОДЭКА, 1999.-т.1-Электроника.

5. Электротехника/Ю.М. Борисов, Д.Н. Липатов, Ю.Н. Зорин. Учебник для вузов.- 2-е изд., перераб. и доп.- М.: Энергоатомиздат, 1985.

Лекция №13

Усилители

План лекции

1. Основные характеристики и параметры усилителя.

2. Обеспечение режима работы транзистора в каскадах усиления.

3. Усилительный каскад по схеме с ОЭ.

4. Дифференциальный усилитель.

5. Усилители мощности.

6. Параметры операционных усилителей.