Электронно-дырочный переход. Однородные полупроводники находят весьма узкое применение и используются только в виде различного рода резисторов

Однородные полупроводники находят весьма узкое применение и используются только в виде различного рода резисторов. Основные элементы интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов представляют собой неоднородные структуры.

Большая часть полупроводниковых приборов работает на основе явлений, происходящих в области контакта твердых тел. На практике используются контакты: полупроводник-полупроводник, полупроводник-металл, металл-диэлектрик-полупроводник.

Переход между двумя областями полупроводника с разнотипной проводимостью называется электронно-дырочным переходом или h-n переходом.

Переходы между двумя областями с различной концентрацией примесей одного типа называются электронно-электронными (n⁺-n переход) или дырочно-дырочный (р⁺-р), где знак «+» означает повышенную концентрацию примесей по сравнению со вторым слоем.

Переходы между двумя полупроводниковыми материалами, имеющими различную ширину запрещенной зоны, называют гетеропереходами. Если одна из областей, образующих переход, является металлом, то такой электрический переход называется переходом металл-полупроводник.

Концентрации основных носителей заряда в p-n переходе могут быть равными или значительно различаться. Электронно-дырочный переход, у которого , называется симметричным.

Если концентрации основных носителей заряда в областях различны ( или и отличаются на два-три порядка, то такие p-n переходы называются несимметричными. Такие переходы на практике используются чаще симметричных.

В зависимости от характера распределения примесей различают две разновидности переходов: резкий (ступенчатый) и плавный.