Примесные полупроводники

Если в кристалл германия или кремния добавить примесь элементов третьей или пятой групп таблицы Менделеева, то образовавшийся полупроводник называется примесным. Примеси могут быть донорного или акцепторного типов.

Примесный атом, создающий в запрещенной зоне энергетический уровень, занятый в невозбужденном состоянии электронами и отдающий в возбужденном состоянии электрон в зону проводимости, называется донором.

Примесный атом, создающий в запрещенной зоне энергетический уровень, свободный от электронов в невозбужденном состоянии и способный захватить электрон из валентной зоны при возбуждении, создавая дырки в валентной зоне, называется акцептором.

При внесении в предварительно очищенный кремний (германий) примеси пятивалентного элемента – донора (фосфор, сурьма, мышьяк) атомы примеси замещают основные атомы в узлах кристаллической решетки (рис. 3). При этом четыре из пяти валентных электронов атома примеси образуют ковалентные связи с четырьмя соседними атомами полупроводника, а пятый электрон оказывается избыточным.

Рисунок 3 Рисунок 4

Энергия ионизации донорных атомов значительно меньше энергии ионизации собственных полупроводников. Поэтому при комнатной температуре избыточные электроны примеси возбуждаются и переходят в зону проводимости (рис. 4). Атомы примесей, потерявшие избыточный электрон, превращаются в положительные ионы. Количество электронов N_д, переходящих под действием тепловой энергии в зону проводимости с донорного уровня W_д, значительно превышает количество электронов n_l, переходящих в зону проводимости из валентной зоны в процессе генерации пар электрон-дырка. Поэтому можно считать, что концентрация электронов проводимости полностью определяется концентрацией донорной примеси , а концентрация дырок составляет

. (3)

Концентрация дырок в донорном полупроводнике значительно ниже, чем в собственном. В связи с этим дырки p_n являются неосновными носителями, а электроны n_n – основными. Поэтому донорный полупроводник называется электронным или полупроводником n-типа.

При добавлении в кристалл кремния (германия) примеси трехвалентного элемента – акцептора (галлий, индий, бор) атомы примеси замещают в узлах кристаллической решетки атомы полупроводника. Для образования четырех ковалентных связей не хватает одного валентного электрона атомов примеси (рис. 5).

Достаточно небольшой внешней энергии, чтобы электроны из верхних уровней валентной зоны переместились на уровень примеси, образовав недостающие ковалентные связи (рис. 6).

При этом в валентной зоне появляются избыточные уровни (дырки), которые участвуют в создании электрического тока. За счет ионизации атомов исходного материала часть электронов из валентной зоны попадает в зону проводимости. Число дырок в акцепторном полупроводнике превышает число электронов:

Рисунок 5 Рисунок 6

, (4)

где N_a – концентрация атомов акцепторной примеси.

Поэтому дырки р_р являются основными носителями, а электроны n_p – неосновными. Полупроводники с акцепторной примесью носят название дырочных или полупроводников р-типа.