Смещение в транзисторном источнике тока

Использование делителя напряжения

В схеме на рис. 4.8 параметры элементов R₁ = 8,2 к, R₂ = 1,6 к, R_Э = 1 к, U_КК = 10 В выбраны таким образом, чтобы протекал ток I_Н = I_К ≈ I_Э = 1 мА.

Рис. 4.8. Задание смещения в транзисторном источнике тока при помощи делителя

При этом U_Б = 1,6 В, а U_Э = U_Б – 0,6 В = 1 В. Рабочий диапазон лежит в пределах ∆U_К = [1,2…10] В, так как момент насыщения транзистора наступает, когда U_К = U_Э + 0,2 В = 1,2 В, а при переходе в режим отсечки U_К = U_КК = 10 В.

Использование стабилитрона

Стабилитрон характеризуется напряжением стабилизации при заданном токе. Пусть, например, U_СТАБ = 5,6 В при I_СТАБ = 1 мА. Сопротивление R выбирается равным 4,3 к, чтобы обеспечить заданный ток стабилизации.

Сопротивление R_Э = 10 к выбрано для обеспечения тока через нагрузку
I_Н = I_К ≈ I_Э = 0,5 мА.

Рабочий диапазон схемы лежит в пределах ∆U_К = [5,2…10] В, так как момент насыщения транзистора наступает, когда U_К = U_Э + 0,2 В = 5,2 В, а при переходе в режим отсечки U_К = U_КК = 10 В.

Рис. 4.9. Задание смещения в транзисторном источнике тока при помощи стабилитрона

Использование последовательно включенных диодов

Транзистор p-n-p-типа питает током заземленную нагрузку. На каждом открытом диоде «падает» по 0,6 В, что в сумме дает 1,8 В. Резистор R задает ток, протекающий через диоды. Резистор R_Э определяет ток I_Н = I_К ≈ I_Э = 2 мА.

Рабочий диапазон данной схемы ∆U_К = [0…8,6] В, так как момент насыщения транзистора наступает, когда U_К = U_Э – 0,2 В, а при переходе в режим отсечки U_К = 0 В.

Рис. 4.10. Задание смещения в транзисторном источнике тока при помощи диодов