ЭП с двухполярным питанием

Выходное напряжение U_ВЫХ = U_Э может изменяться от момента выхода транзистора из режима отсечки до его перехода в режим насыщения. В положительной полуплоскости 0 ≤ U_ВЫХ ≤ U_КК. В отрицательной полуплоскости для рассматриваемой схемы 0 ≤ U_ВЫХ ≤ –6 В. Это связано с тем, что при уменьшении входного напряжения и переходе в режим отсечки выходное напряжение определяется делителем R_Э, R_Н.

Рис. 4.1. К ограничению сигнала в ЭП с двухполярным питанием

Ограничение можно уменьшить за счет изменения сопротивления R_Э, однако в этом случае увеличивается ток через транзистор. Например, при R_Э = 500 Ом ток увеличивается в два раза при фиксированном U_Б (а значит, и U_Э), а уровень ограничения становится равным –8 В (см. эквивалентную схему эмиттерной цепи на рис. 4.1).

Непосредственное подключение нагрузки к ЭП
с однополярным питанием

При непосредственном подключении нагрузки к выходу ЭП в схеме с однополярным питанием ограничения нет. При фиксированном U_Б такое подключение нагрузки ведет к увеличению тока через транзистор, так как общее сопротивление в эмиттерной цепи уменьшается в результате параллельного включения R_Э и R_Н.

Рис. 4.2. Непосредственное подключение нагрузки к ЭП с однополярным питанием

.