Свойства реагентов и реакции при ХОГФ
Таблица 12.1 - Физико-химические свойства газов
| Вещество | Формула | Состояние при н.у. | Тпл,°С | Ткпг,°С |
| Моносилан Дихлорсилан Тетрахлорид Si Тетраэтоксисилан Фосфин Диборан Аммиак Закись азота Гексафторид W Гексафторид М0 | SiH4 SiH2Cl2 SiCl4 Si(OC2H5)4 PH3 B2H6 NH3 N2O WF6 М0F6 | г г * * г г г г * * | -185 -122 -68,1 -85,5 -133,8 -165,5 -77,8 -90,8 - - | -112 8,3 57,6 166,5 -87,4 -92,5 -33,5 -88,5 |
Реакции разложения (пиролиза) и соединения реагентов:
500-600°С
SiH4 ¾¾® Si + 2H2
350-500°С
SiH4 + O2 ¾¾® SiO2 +H2O(H2)
350-500°С
700-900°С
SiH4 +N2O ¾¾® SiO2 + N2 + H2(H2O)
700-900°С
3SiH4 + 4NH3 ¾¾® W + 6HF
200-600°С
WF6 +2SiH4 ¾¾® WSi2 + HF
Таблица 12.2. – Обобщенные характеристики процессов осаждения
| Характеристики | РАД | РПД |
| 1) Производительность, пл/цикл 2) Уменьшение производительности при увеличении диаметра подложки 3) Разброс толщины слоев: ±% - по пластине - в партии пластин 4) Скорость осаждения, мм/мин 5) Расход газа – носителя, м3/n | £ 50 Сильное 5-10 10-15 20-200 1,5-5 | £200 Слабое 5-20 0,05 |
Одна из основных проблем ХОГФ – получение однородных по толщине слоев на пластинах большого диаметра.
Причины разброса толщины:
- формирование газовых потоков, завихрений
- диффузионные ограничения в зоне реакций
- неравномерный прогрев подложки
- обеднение газовой фазы активными компонентами.
В РПД обеспечивается высокая скорость диффузии ( в 1000 раз выше), высокая скорость пролета газов, что обеспечивает практически постоянную концентрацию активных веществ.
Расположение пластин и схема массопереноса в РПД, разброс по толщине
Рисунок 12.1 - Расположение пластин и схема массопереноса
Кроме того разброс может возникнуть в результате наклона пластин и нарушения коаксиальности пластин и реактора (рис.11.2)
Рисунок 12.2 – Причины возникновения разброса толщины
Дата добавления: 2016-01-29; просмотров: 796;