Дополнительная. 1. Кугушев А. М. Основы радиоэлектроники – М.: Изд-во МГТУ им

1. Кугушев А. М. Основы радиоэлектроники – М.: Изд-во МГТУ им. Баумана, 2001.

2. Рекус Г. Г. Лабораторный практикум по электротехнике и основам электроники. Учеб. пособие – М.: Высшая школа. – 2001.

3. Гусев В.Г. Электроника и микропроцессорная техника. –М. Высшая школа, 2006.

4. Пихтин А. Н. Оптическая и квантовая электроника. Учебник для вузов / М.: Высшая школа, 2001.

5. Грабовски Б. Краткий справочник по электронике. Пер. с фр. – М.: ДМК Пресс, 2001

* В полупроводниковой технике принято измерять удельное сопротивление для 1 см³ ( 1 Ом·см = 10⁴ Ом·мм/м = 10⁶ Ом·м)

[1] Напомним, что направление сил электрического поля совпадает с направлением движения помещенных в него положительных зарядов. Носители отрицательного заряда — электроны— будут двигаться в противоположном направлении.

[2] Это объясняется тем, что электрон, возвращаясь в валентную зону, должен отдать не только энергию, но и импульс. Поскольку фотон не способен воспринять сколько-нибудь заметный импульс, необходимо, чтобы в процесс включалась еще третья частица — фонон, а такая комбинация встречается крайне редко.

[3] Очевидно, что неподвижный электрон никогда не «встретится» с дыркой; чем больше скорость электрона, тем более вероятна такая «встреча». Что касается сечения захвата, то оно характеризует тот объем вокруг дырки, попав в который, электрон неизбежно притянется к ней, несмотря на инерцию своего движения.

[4] Учитывая большую распространенность монополярной диффузии, прилагательное «монополярная» обычно опускают.