Общее соотношение для барьерной емкости электронно-дырочного перехода

Исходя из определения барьерной емкости (3.17), можно получить общую формулу для барьерной емкости плоского p-n-перехода. Объемный заряд ионизированных примесей в цилиндре, выделенном в р-n-переходе,

(3.18)

где б –расстояние между слоями.

Таким образом, барьерная емкость плоского одномерного р-n-перехода может быть рассчитана по формуле плоского конденсатора.

Такой результат не является очевидным, так как распределение зарядов в плоском конденсаторе и в электронно-дырочном переходе не одинаково. Причина совпадения формул — в характере изменения заряда р-n-перехода: при изменении напряжения на р-n-переходе заряд изменяется потому, что сдвигаются границы р-n-перехода.

Заряды, обусловливающие барьерную емкость, сосредоточены в двух тонких слоях, расположенных на расстоянии в одиночестве от другого (рис. 3.11), что очень напоминает поверхностные заряды на металлических обкладках конденсатора.