ВАХ p-n-перехода
Если умножить все j на площадь p-n-перехода, то получим токи:
- диффузионные токи за счёт движения
основных носителей
- дрейфовые токи, обусловленные движением
неосновных носителей
I
Iпр
U
Iобр
P-n-переход под обратным внешним напряжением
Если к р-области приложить отрицательное внешнее напряжение, а к n-области положительное, то jк увеличится и через запирающий слой потечёт лишь ток, образованный перемещением неосновных носителей. При напряжении –0,5 В обратный ток равен току насыщения:
Iобр=Iнас=Ips+Ins
Все имеющиеся в п/п носители будут участвовать в создании дрейфового тока.
Диаграмма изменения потенциального барьера:
W p EК n
EX
eφ0p eφ0K
p nWсeφ0n
WА u
U WФ
ВЗWД
2LWВ
Ширина запирающего слоя (ЗС)
Область существования контактного поля определяется пределами запирающего слоя 2L. Исходя из этого, L – это глубина проникновения э.п. в п/п.
Глубина проникновения э.п. в тело определяется уравнением Пуассона, связывающее E с q и e:
r - объёмная плотность электрических зарядов, создающих э.п. Е.
r=eN
X – расстояние от границы контакта
e - диэлектрическая проницаемость п/п
N – объёмная концентрация носителей заряда.
Проинтегрировав уравнение дважды от 0 до L, получим:
Если к p-n-переходу приложить внешнее напряжение, то вместо jк подставляем суммарную разность потенциалов. При приложении прямого напряжения ширина уменьшается, а обратного – увеличивается.
Различные виды переходов
Дата добавления: 2015-09-18; просмотров: 1143;