Контакт Ме – п/п p-типа
ej0p > ej0.
W Ме p
ej0p ЗПX
ej0 Wс
WА WФ
ЗП WВ
ВЗ
W,U X
ejK
ej0p ej0 Wс
WФ
ЗП ВЗ WВ
L
В этом случае электроны переходят из Ме в п/п, создавая ЗС, поскольку в p-п/п уменьшается концентрация дырок. При подключении прямого напряжения сопротивление ЗС уменьшается, при подключении обратного – увеличивается.
Из-за изменения сопротивления ЗС при подключении напряжения данный переход обладает выпрямляющими свойствами.
Если ej0p >> ej0, то может возникнуть инверсный слой в p-п/п, т.е. слой с электронной проводимостью.
Если ej0p < ej0, то электроны из п/п переходят в Ме, в п/п образуется избыточная концентрация дырок, и слой будет иметь более высокую проводимость, чем п/п – контакт антизапирающий (омический).
Пробой p-n-перехода.
Пробоем p-n-перехода называется резкий рост обратного тока через переход при приложении обратного напряжения.
Виды пробоя:
· Лавинный пробой ЛП
· Полевой пробой ПП
· Тепловой пробой ТП
ЛП: развивается в p-n-переходе, образованном слаболегированным п/п (ширина ЗС большая).
Если приложить большое обратное напряжение, то суммарная напряжённость 
в ЗС велика, так что неосновные носители, проходя через p-n-переход, приобретают энергию, достаточную для ионизации атомов п/п.
При этом дырки и электроны по пути через ЗС образуют новые пары подвижных носителей заряда, которые в свою очередь разгоняются в поле 
и ионизируют новое поле и т.д.
Т.е. в ЗС развивается лавина подвижных носителей и обратный ток резко увеличивается. Характеризует этот процесс коэффициент умножения, который определяется по формуле:
где N1 – количество электронов, поступивших в p-n-переход
N2 – количество электронов, ионизированных электронами
N’2 – количество электронов, ионизированных дырками.
Важной характеристикой пробоя является обратное напряжение.
А, a - коэффициенты, которые зависят от материала и от типа проводимости.
Для ЛП характерен резкий рост обратного тока при незначительном увеличении обратного напряжения.
 |
I
UЛП U
 | |||
 |
ПП: этот пробой характерен для переходов, образованных п/п с меньшим, чем ранее удельным сопротивлением.
При сильном э.п. = (2-5) 107 В/м возникает условие для ионизации атомов п/п фанонами или др. частицами.
Фанон – это энергия колеблющихся атомов.
Величина пробивного напряжения зависит от r - удельного сопротивления n- и p-п/п Ge:
При значительной величине r напряжение ПП больше, чем напряжение ЛП, и в переходе возникает ЛП.
Характеристика ветви ПП такая же, как и ЛП.
ТП: возникает в результате разогрева p-n-перехода обратным током большой величины.
Если количество джоулевого тепла, выделяемого в переход, больше, чем количество тепла, отводимого от перехода, то температура перехода возрастает и возрастает число носителей заряда, переход разогревается.
Напряжение UТП зависит от величины Iобр, сопротивления p-n-перехода, от условий теплоотвода и от температуры окружающей среды.
Зависимость Iобр от Uпр имеет вид:
I
U
 |
ТП может наступить за счёт увеличения обратного тока при ЛП или ТП.
Ёмкости p-n-перехода
ЗС, образованный в p-n-переходе двумя слоями разноименно зарядов, может быть представлен эквивалентным плоским конденсатором с емкостью С:
S – площадь перехода
2L – ширина ЗС
Из анализа, проведённого ранее для p-n-перехода, видно, что концентрация объёмного заряда в приконтактной области изменяется в зависимости от внешнего напряжения.
При Uобр ширина ЗС увеличивается. Меняется при этом и распределение зарядов. Ёмкость, обусловленная наличием зарядов в ЗС в условиях равновесия и при подаче Uобр , называется барьернойили зарядной ёмкостью.
Изменение объёмных зарядов происходит и при подключении Uпр за счёт инжекции неосновных носителей.
Ёмкость, обусловленная такими изменениями заряда, называется диффузионной.
Барьерную ёмкостьрассмотрим на примере несимметричного p-n-перехода (Nа>Nд).
ЗС лежит в основном в n-п/п. Ширина ЗС:
При подключении обратного напряжения ЗС расширяется.
При данном условии 2L=L’’
Диффузионная ёмкость – может быть определена, как отношение изменения величины инжектированных зарядов к изменению напряжения на переходе.
I – Iпр через переход
t - время жизни неосновных носителей.
Полупроводниковые диоды
Дата добавления: 2015-09-18; просмотров: 818;