Обратная ветвь ВАХ

При анализе обратной ВАХ p-n-перехода мы считали, что обратный ток обусловлен только дрейфом неосновных носителей, т.е. тепловым током I₀ .

1. I₀ зависит от концентрации неосновных носителей, от интенсивности их генерации вблизи перехода, а также от подвижности, т.е. от типа материала п/п. I_0Ge >>I_0Si

2. I₀ зависит от площади p-n-перехода (чем больше площадь, тем больше ток)

3. Обратный ток может включаться за счёт генерации пар зарядов в самом переходе I_д и за счёт процессов, происходящих на поверхности контакта п/п I_пов. I_дGe мал, I_дSi обусловлен преобладанием тепловой генерации пар зарядов над процессами рекомбинации, он больше I₀

4. Поверхностные явления образуют ток, величина которого сравнима в германиевых диодах с током I₀, в кремниевых – с током I_д. Ток растёт пропорционально величине обратного напряжения, зависит от окружающей среды и от длительности работы диода.

I I

UI_пов U

I_пов

I₀

I₀

I_обр =I_пов+I₀

I_обр =I_пов+I₀

Ge Si