Контакт металл - п/п

Контакт Ме – n-п/п

А) работа выхода из п/п меньше работы выхода из Ме ej_{0n <} ej_0.

W,U Ме n

ЗП eφ_0n x

eφ₀ W_с W_Ф

W_Ф

ЗП W_В

ВЗ

W Ме n

eφ_K ЗПx

eφ₀ eφ_0n

W_Ф W_Д

- +

ЗП L ВЗ

При таких условиях электроны при контакте Ме и n-п/п из зоны проводимости п/п переходят в Ме, заряжая его отрицательно. В приконтактной области п/п образуется слой, обеднённый основными носителями, и там остаётся неподвижный нескомпенсированный положительный заряд ионов доноров. Образуется приконтактное электрическое поле. Это э.п. будет препятствовать дальнейшему движению из п/п в Ме, отталкивает свободные электроны в запирающий слой и притягивает в приконтактную область дырки, которые находятся в валентной области.

При равновесии уровни Ферми п/п и Ме выравниваются.

ЗС лежит в основном в толще п/п.

При подключении внешней батареи в прямом направлении потенциальный барьер снижается, сопротивление ЗС уменьшается и через ЗС течёт ток за счёт перемещения электронов в Ме.

При подключении обратного напряжения j_к повышается, поток электронов практически прекращается, но под действием поля возможно движение дырок в Ме. Но этот ток мал, т.к. образован неосновными носителями – дырками.

Б) ej_0n<<ej₀

При таком контакте искривление энергетических зон n-п/п в результате значительной величины j_к очень велико и в некоторой части ЗС L образуется L’<L, где будет слой p-проводимости, т.е. инверсный слой.

На диаграмме об этом свидетельствует расположение уровня Ферми ниже середины ЗЗ.

Образование инверсного слоя с физической точки зрения объясняется недостатком свободных электронов в n-п/п для достижения равновесного состояния.

Равновесие достигается за счёт перехода в Ме валентных электронов, при этом образуется избыток дырок в приконтактной области. Таким образом, в приконтактной области образуется плавный p-n-переход.

W

Ме nx

eφ_K

eφ₀ eφ_0n W_с

W_Ф

ЗПW_В

2L ВЗ

В) В случае контакта Ме с n-п/п, если ej_0n >ej₀ , электроны из Ме переходят в п/п. Вблизи границы образуется слой с повышенной концентрацией основных носителей. Такой слой называется антизапирающим. Контакт называется выпрямляющий (удельное сопротивление ЗС мало), или омическим переходом. Используется для осуществления электрических выводов от областей p- и n-п/п различных электронных приборов.