Структура реального невыпрямляющего контакта.

Невыпрямляющий контакт, удовлетворяющий перечисленным требованиям, имеет сравнительно сложную структуру. Он состоит из нескольких последовательно соединенных контактов, рис.3.8.

Для меньшей вероятности накопления неосновных носителей заряда около контакта металл — полупроводник потенциальный барьер здесь должен быть по возможности меньшим. Поэтому металл желательно подобрать с работой выхода, которая мало бы отличалась от работы выхода электронов, в полупроводнике. Так как это обеспечить

Рис.3.8. Структура реального невыпрямляющего контакта

трудно, то поверхностный слой полупроводника должен быть сильно легирован для обеспечения возможности туннелирования носителей заряда сквозь потенциальный барьер.

На контакте двух полупроводников с разной степенью легирования также может происходить накопление неосновных носителей заряда. Для меньшего влияния этого явления на характеристики и параметры полупроводникового прибора целесообразно в поверхностный слой полупроводника вводить примеси рекомбинационных ловушек (например, золото), что уменьшит время жизни носителей заряда в этой части структуры. При малом времени жизни накопленные носители заряда будут быстро рекомбинировать, т.е. процесс их рассасывания меньше будет сказываться на параметрах прибора.

Однако в реальных невыпрямляющих контактах часто образуются различные промежуточные слои, ухудшающие свойства контактов. Поэтому окончательную доработку технологии невыпрямляющих контактов проводят экспериментально.