Методика измерений. Температурная зависимость сопротивления полупроводника определяется формулой (см

Температурная зависимость сопротивления полупроводника определяется формулой (см. (16.9)):

(16.13)

где Е_g – ширина запрещенной зоны, k – постоянная Больцмана, R₀ – постоянная величина, характеризующая свойства полупроводника (R₀=R при Т→¥).

Проведя логарифмирование (16.13), получим:

. (16.14)

График зависимости от является прямой линией с угловым коэффициентом (рис.16.6). Определив тангенс угла наклона прямой к оси абсцисс, можно найти энергию активации (ширину запрещённой зоны) полупроводника:

. (16.15)

Сопротивление R вычисляется из опытных данных по закону Ома:

, (16.16)

где I – измеренный ток, U – напряжение.

Температурный коэффициент сопротивления металла можно определить, используя формулу (16.12):

, (16.12а)

, (16.12б)

где R₀ – сопротивление металлического образца при t=0⁰С.