Лекциялық дәріс.Транзисторлар.

Электр тоғын басқару үшін қолданылатын екі р-п ауысуларынан тұратын құрылғыны транзистор деп атайды. Оның электрондарына түсірген кернеулерді өзгерте отырып, тоқтың шамасын басқаруға және оны генерациялауға немесе ауыстырып қосуға болады.

Транзистор да диод секілді германийден немесе кремнийден жасалады, бірақ кремнийлігі көбірек тараған; қоспа ретінде мышьяк, фосфор, сурьма, индий, бор, галий және басқалар қолданылады.

Биполярлық транзистор деп, екі өзара әсер етуші р-п ауысулары бар кристалдардан жасалған құралды айтады.

Биполярлық транзистор құрылымы (р-п-р немесе п-р-п), қуаты (аз, орташа және үлкен), жұмысшы жиілігі (томенгі, орта және жоғары) және басқа да белгілері жағынан ажыратылады.

Биполярлық транзистор құрлысыэлектр өткізгіштігі п-түріндегі қалыңдығы 0,15-0,2 мм микрокристалл пластинаның екі жағына электор өткізгіштігі р-түріндегі кристал қабаты жасалған. Кристалдың электрлік шығысы бар орталық бөлігін база, бір шеткісін-эмиттер екіншісін- коллектор деп атайды. Эмиттер, база және коллектор арасында екі р-п ауысулары бар: эмиттерлік (1)және коллекторлық (2). Базаның электр өткізгіштігі электрондық та, тесіктік те болуы мүмкін; соған сәйкесті транзисторы да р-п-р немесе п-р-п құрамды болады. Транзистордың электрондары кіріс (эмиттер-базалық) және шығыс (коллектор-базалық) екі элекрт тізбегі түзілетіндей Е^э және Е^к тұрақты э.қ.к.-інің көздеріне қосылады. Кіріс тізбегіне тербеліс көзі (ТК) қосылуы, ал шығысқа –жүктеме резисторы R^k қосылуы мүмкін. Тербелісті күшейту үшін транзисторды пайдаланғанда оның эмиттерлік ауысуы тура ал коллекторлық-кері бағытта қосылады.

Транзистордың жұмыс істеу принципіоның электродтардың тоқтарын басқару ауысуға жеткізілген кернеуден тәуелділігіне негізделген. Жалпы жағдайда бұл тәуелділік өте күрделі, сондықтан бір транзисторлардың қасиетіне әсер ететін факторларды ескермейтін, оның қарапайым моделін қарастырамыз. Сыртқы кернеу (Е^э және Е^к нөлге тең) болғанда кристалл энергетикалық тепе-теңдікте болады: барлық қоспалы атомдар иондалған, Ферми деңгейінен жоғары р-обылысында жатады, ал базалық қабаттарда (п-обылысында) –донорлардан төмен деңгейде жатады. База обылысында потенциалдың нөлге дейін көтерілуі оның нөлдік потенциал нүктесіне, яғни корпусқа қосылғандығымен түсіндіріледі.