Выбор транзистора. Построение выходной и входной динамических характеристик
Для решения задачи необходимо знать для выходной цепи мощность PВЫХ, ток IВЫХ MAX и напряжение UВЫХ MAX. По этим данным выбирается транзистор из условия, что допустимые предельные параметры:
PMAX > PВЫХ,
IMAX > IВЫХ MAX,
UK MAX > UВЫХ MAX.
Для входной цепи задаются колебания тока IВХ MAX и его максимальное значение. Зная эти параметры, по методике, изложенной в разделе 6, строятся динамические входная и выходная характеристики для заданного транзистора и параметров.
 |
Рис. 7.2 – Графический расчет усиления переменных колебаний
7.2.1 Методика решения и построения временной диаграммы тока и построения входной цепи iВХ, i′ВХ
Допустим, что ток i′ВХ, который необходимо усилить, описывается следующим уравнением
iВХ=IВХМSinΘ.
Для того, чтобы iВХусиливался без искажения, необходимо, чтобы его диаграмма располагалась на линейном участке входной динамической характеристики между точками а и е. Для достижения этого необходимо сместить исходную рабочую точку с так, чтобы при Θ=0 точка с находилась на середине участка ае. Это достигается подачей напряжения ЕСМ, подключаемого между эмиттером и базой (рис.7.1).
|
 |
В этом случае результирующий токi′ВХ, протекающий через базу транзистора (рис. 7.1), будет равен:
где IСМ=EСМ/RСМ– ток смещения, протекающий от (+) EСМ, через переход Э-Б, RСМи к (–) EСМ.
• Порядок решения:
1.На входной ДХ откладываем IСМ=IВХси находим исходную рабочую точку с, которая соответствует Θ=0 и iВХ′ = IСМ.
2.Находим на ДХ точки а и е и соответствующие им токи IВХа, IВХе.
3.По рис. 7.2 из условия, что IВХс– IВХа= IВХ Ми IВХе– IВХа= IВХ Мопределяем IВХ М.
4.По формуле (7.1) рассчитаем и построим временную диаграмму i'ВХ=f(Θ), изменяя 0 ≤ Θ ≤ 360°. Результаты оформить в виде таблицы 7.1.
При решении и построении временной диаграммы i′ВХнеобходимо учесть закон изменения SinΘ.
Таблица 7.1 – Зависимость SinΘ=f(Θ) и значения параметров тока входа
 |
Дата добавления: 2015-08-08; просмотров: 1436;