Статические характеристики МОП транзистора
 |
На рис. 10.4 представлены стокозатворная и выходная характеристики полевого транзистора МДП с индуцированным n-каналом (подложка-р).
Рис.10.4 Стокозатворная и выходная характеристики полевого транзистора МДП с индуцированным n-каналом
Видно, что в этом случае все потенциалы положительны.
Стокозатворная характеристика имеет вид параболы.
IC=A(UЗИ-UОТС)2 при UЗИ <UОТС (10.2)
A – коэффициент, зависящий от конструкции и технологии изготовления транзистора, [А/В]
Крутизна стоко-затворной характеристики (характеристики управления)
S=DIc/DUзи (10.3)
размерность [mA/В]
Зависимость тока стока от напряжения сток-исток представлена справа на рис.10.4.
Вопрос: почему характеристики не прямые – кажется, что только от напряжения UЗИ зависит проводимость канала, и, следовательно, должен соблюдаться закон Ома, т.е. ток стока должен быть пропорционален напряжению сток-исток.
Однако на рис.10.4 видно, что чем больше напряжение сток-исток, тем больше сопротивление канала.
Объясняется это тем, что в канале есть падение напряжения, а, так как в затворе нет никаких токов, то напряжение во всех точках затвора одинаковое.
 |
Если исток и подложка соединены, то в канале близ истока напряжение равно 0, а вблизи стока равно UСИ , значит разность потенциалов между затвором и подложкой будет уменьшаться от истока к стоку, канал будет иметь разную толщину и электропроводность, как показано на рис.10.5
Рис.10.5 Модуляция канала
При Uзинас происходит перекрытие канала около стока и дальнейшее увеличение напряжения на стоке не приводит к увеличению тока стока.
 |
УГО МОП полевого транзистора с n-каналом (слева) и с р-каналом (справа).
Рис.10.6 УГО транзисторов с встроенным каналом
Это МОП транзисторы с индуцированным каналом.
 |
Характеристики МОП транзистора с встроенным каналом будут выглядеть:
Рис.10.7 Стокозатворная и выходная характеристики полевого транзистора МДП с встроенным n-каналом
 |
УГО: обозначаются такие транзисторы почти так же, как и транзисторы с индуцированным каналом:
Рис.10.8 УГО транзисторов с индуцированным каналом
Дата добавления: 2015-08-08; просмотров: 1375;