Полевые транзисторы с изолированным управляющим электродом (затвором).

У таких транзисторов полупроводниковый канал отделён от металлического затвора тонким (≈0,1мкм) слоем диэлектрика. Они имеют структуру металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). В большинстве случаев в качестве диэлектрика используется диоксид кремния (SiO₂). В таком случае транзистор называется МОП-типа (металл-окисел-полупроводник).

Принцип работы этих приборов основан на эффекте поля.

МОП-транзисторы могут быть двух типов:

- со встроенным каналом (канал создается при изготовлении);

- с индуцированным каналом (инверсионным) – канал возникает под действием напряжения, приложенного к затвору.

МОП-транзисторы со встроенным каналом:

Структура МОП-транзистора со встроенным каналом n-типа.

Основа прибора – подложка из монокристаллического кремния p-типа.

Области истока и стока – сильнолегированные полупроводники n-типа (n⁺). Расстояние между И и С около 1 мкм. На этом участке расположена узкая слаболегированная полоска кремния n-типа (канал).

В зависимости от полярности напряжения на затворе (относительно истока), канал может обедняться или обогащаться носителями заряда (электронами).

Отрицательное напряжение на затворе выталкивает электроны из области n-канала в подложку. Канал обедняется носителями заряда и ток в канале уменьшается.

Положительное напряжение на затворе способствует втягиванию электронов проводимости из подложки и из областей n⁺ в n-канал. Канал обогащается носителями заряда, ток в канале возрастает.

Таким образом, этот транзистор может работать с нулевым, отрицательным или положительным напряжением на затворе.