Полевые транзисторы. Для управления работой биполярных транзисторов требуются большие или меньшие токи управляющих электродов (базы или эмиттера)

Для управления работой биполярных транзисторов требуются большие или меньшие токи управляющих электродов (базы или эмиттера). В ряде случаев источники сигналов не могут обеспечить необходимых величин управляющих токов, например, из-за достаточно большого внутреннего сопротивления источников сигналов, что создаёт определённые трудности при решении задач усиления слабых сигналов.

Однако, из физики твёрдого тела известен так называемый эффект поля, суть которого состоит в том, что изменение концентрации носителей зарядов (а, значит, и проводимости) в приповерхностном слое полупроводника может быть достигнуто под действием внешнего электрического поля. Этот эффект находит широкое применение в полевых транзисторах.

Работа таких транзисторов основана на движении носителей заряда только одного типа (электроны или дырки) в полупроводниковом материале, сопротивление которого может модулироваться внешним электрическим полем (эти транзисторы ещё называют униполярными).

Таким образом, полевым транзистором называется трёхэлектродный полупроводниковый прибор, ток в котором создаётся основными носителями заряда под действием продольного электрического поля, а управление величиной тока осуществляется поперечным электрическим полем, создаваемым напряжением, приложенным к управляющему электроду.

Все полевые транзисторы по своим коструктивным особенностям разделяются на две группы (вида):

1. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (канальные, или униполярные);

2. Полевые транзисторы с изолированным управляющим электродом.

Управляющий электрод в полевых транзисторах называется затвором, а электроды, подводящие продольное электрическое поле и через которые протекает управляемый ток – сток и исток.