Биполярные транзисторы.

Полупроводниковые приборы, содержащие два взаимодействующих

p-n перехода, образованных тремя слоями полупроводников, с чередующимся типом электропроводимости, обладающих усилительными свойствами и имеющих три вывода, называются биполярными транзисторами.

В зависимости от типа электропроводности наружных слоев различают транзисторы p-n-p и n-p-n типов.

 

 

транзистор p – n – p –типа транзистор n – p – n –типа

(или прямой проводимости) (или обратной проводимости)

 

 

Схема транзисторов, как совокупность диодов, не отражает всех свойств транзисторов.

 

Э – эмиттер – область транзистора, предназначенная для инжекции («впрыскивания») неосновных носителей заряда в базовую область;

Б – база – область транзистора, предназначенная для переноса (транспортировки) инжектированных носителей к коллектору вследствие диффузии или дрейфа;

К – коллектор – область транзистора, предназначенная для экстракции («вытягивания») неосновных носителей из базы за счет поля коллекторного перехода.

 

Структура сплавного транзистора.


SЭ – площадь эмиттера;

SК – площадь коллектора; SК> SЭ

 

 

Эмиттер (Э) и коллектор (К) выполняются низкоомными, а база (Б) относительно высокоомной, поэтому удельные объемные сопротивления эмиттера (ρЭ), коллектора (ρК) малы, а базы (ρБ) – велико (до сотен Ом)

Но при этом: ρЭК, а ρБ>>ρЭ.

ω – толщина базы (типичное значение ω≈0,5мкм÷1,0мкм).

Кроме того ω<<L (диффузионная длина) – база тонкая.

Концентрация примесей (степень легирования) в базе значительно меньше, чем в эмиттере и коллекторе.

В зависимости от технологии изготовления транзисторов концентрация примесей в базе может быть распределена равномерно или неравномерно.

При равномерном распределении внутреннее поле в базе отсутствует, в результате неосновные носители в ней движутся за счет диффузии. Такие транзисторы называются диффузионными или бездрейфовыми.

При неравномерном распределении – в базе имеестя внутреннее электрическое поле, в результате неосновные носители движутся в ней как за счет дрейфа, так и диффузии, однако, дрейфовое движение превалирует. Такие транзисторы называют дрейфовыми.

В зависимости от выполняемой функции в электронных устройствах транзистор может работать в трех режимах:

- активный режим;

- режим отсечки;

- режим насыщения.

Каждый из режимов определяется соотношением полярностей напряжений, подаваемых на электроды транзистора.

Активный режим характеризуется прямым напряжением на переходе база-эмиттер (БЭ) и обратным напряжением на переходе коллектор-база (КБ).

Режим отсечкиобратное напряжение на переходе БЭ и обратное напряжение на переходе КБ.

Режим насыщенияпрямое напряжение на переходе БЭ и прямое напряжение на переходе КБ.

Активный режим наиболее распространен и используется для усиления аналоговых сигналов.

Режимы отсечки и насыщения наиболее часто используются для усиления дискретных сигналов и при реализации ключевых устройств, в т.ч. в устройствах, выполняющих логические функции.

В любых схемах с транзисторами, как правило, образуются две цепи: входная и выходная, которым соответствуют условные обозначения для токов, напряжений и мощностей:

Iвх ; Uвх ; Pвх (или I1 , U1 , P1 ) – для входной цепи;

Iвых ; Uвых ; Pвых (или I2 , U2 , P2 ) – для выходной цепи.

 








Дата добавления: 2015-08-04; просмотров: 608;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.008 сек.