Математические модели биполярных транзисторов.

Моделированием материального объекта (структуры, процесса, системы) называется представление этого объекта символическим описанием или другим объектом, которые замещают моделируемый объект в отношении исследуемых свойств на некоторой ступени познавательного процесса.

Различают два основных типа моделей транзистора:

1. Математическая модель, которая даёт символическое математическое описание процессов в транзисторе. Это абстракция, позволяющая лишь мысленно анализировать процессы, происходящие в транзисторе. Однако эта модель отражает с требуемой точностью реальные процессы в приборе.

2. Физическая (аналоговая) модель, в которой физические процессы в транзисторе заменяют другими, более удобными для исследования.

Это реальное физическое устройство для изучения процессов в моделируемом объекте.

Возможности математических моделей по исследованию процессов в транзисторах значительно превышают возможности физических моделей.

С помощью математической модели можно без больших материальных затрат провести анализ многих вариантов построения транзисторов и транзисторных цепей.

Поэтому основным типом модели транзистора является математическая или в дальнейшем просто «модель».

Все «модели» транзистора,взависимости от исследуемого режима работы транзистора, могут быть разделены на два класса:

1. Статические модели, описывающие свойства транзистора на постоянном токе (модели в режиме большого сигнала);

2. Динамические модели, описывающие свойства транзистора на переменном электрическом сигнале при малых амплитудах сигналов (модели в режимах малых сигналов).

Критерием малого сигнала при построении моделей принято считать амплитуды переменных напряжений, действующих в цепи база-эмиттер, достаточно меньших по сравнению со значением температурного потенциала φ_Т в уравнении Шокли ( , при t = +27˚С φ_Т = 25мВ).