Общие сведения. Стремление уменьшить габариты и мощность устройств электроники привело первоначально к созданию малогабаритных схем и микромодулей

Стремление уменьшить габариты и мощность устройств электроники привело первоначально к созданию малогабаритных схем и микромодулей. Однако, это не решало проблемы производства компонентов, а потому и не получило дальнейшего развития. Более эффективным оказался путь создания микроэлектронных устройств, на базе которых возникли интегральные микросхемы.

Интегральная микросхема (ИМС) - изделие микроэлектроники, в котором пассивные элементы (резисторы, конденсаторы), активные элементы (диоды и транзисторы) и соединительные провода изготавливаются в едином технологическим процессе, электрически соединены между собой, заключены в общий корпус и представляют собой единое целое.

С точки зрения интеграции основными параметрами интегральных микросхем являются плотность упаковки и степень интеграции. Плотность упаковки характеризует количество элементов на единицу площади или объема. Степень интеграции определяет количество элементов, входящих в состав микросхемы.

По степени интеграции принято делить ИМС по степеням:

первой степени - до 10 элементов,

второй степени - от 10 до 100 элементов,

третьей степени - от 100 до 1000 элементов и т.д.

По технологии изготовления различают ИМС полупроводниковые и гибридные.

По назначению ИМС могут быть линейно-импульсными и логическими.