Схемы включения биполярных транзисторов с p-n-p структурой

Возможны три схемы включения транзисторов: с общей базой (ОБ), с общим эмиттэром (ОЭ), с общим коллектором (ОК).

На рис.7.16 изображена схема включения транзистора p-n-p структуры с общей

базой, в которой коэффициент усиления по току , коэффициент усиления по напряжению , коэффициент усиления по мощности .

На рис.7.17 изображена схема включения транзистора p-n-p структуры с общим коллектором. Так как , тогда коэффициент усиления по току схемы , коэффициент усиления по напряжению

, коэффициент усиления по мощности .

Эту схему называют эмиттерным повторителем и используют для согласования каскадов в схемах усилителей.

Рис.7.16. Схема включения транзистора p-n-p структуры с общей базой

Рис.7.17. Схема включения транзистора p-n-p структуры с общим коллектором

На рис.7.18 изображена схема включения транзистора p-n-p структуры с общим эмиттером, коэффициент усиления по току схемы ,

коэффициент усиления по напряжению , коэффициент усиления по мощности .

Рис.7.18. Схема включения транзистора p-n-p структуры с общей базой

Анализ трёх схем показывает, что наибольшее применение находит схема с общим эмиттером. На рисунках 7.19 и 7.20 изображены статистические характеристики транзистора p-n-p типа с общим эмиттер

Рис.7.19.Входные характеристики транзистора p-n-p типа с общим эмиттером Iб=f(Uэб) при Uэк=const

Рис.7.20.Выходные характеристики транзистора p-n-p типа с общим эмиттером Iк=f(Uкэ) при Iб=const

Линия АВ представляет нагрузочную характеристику транзистора. Точка А режима насыщения cоответствует полному отпиранию транзистора при Uэк = 0,

а коллекторный ток при этом соответствует значению Iк = Екэ/Rн. Точка В режима отсечки соответствует полному запиранию транзистора при Uэк = Екэ и Iк = 0. Точка С активного режима является рабочей точкой транзистора, в которую транзистор настраевается в режиме усилителя.