Гибридные интегральные микросхемы
Гибридная микросхемапредставляет собой микросхему, в которой на подложке методами толсто- и тонкопленочной технологии изготовляются пассивные элементы и токопроводящие проводники, а активные элементы подключаются в схему уже готовыми.
Гибридные микросхемы широко используются для микроминиатюризации такой радиоаппаратуры, как радиоприемники, магнитофоны, телевизоры, видеомагнитофоны, различные усилители и др. Объясняется это тем, что гибридные микросхемы имеют меньший объем, чем микромодули, более технологичны в изготовлении. Кроме того, их активные элементы могут работать при больших напряжениях по сравнению с пленочными микросхемами, а также усиливать напряжение и мощность на высоких и сверхвысоких частотах. Большое значение имеет также то, что гибридные микросхемы могут работать в тяжелых климатических условиях, так как теплоотвод у них значительно лучше, чем в остальных схемах.
Отечественная промышленность выпускает большую номенклатуру гибридных микросхем. Для применения в бытовой радиовещательной аппаратуре предназначены микросхемы серии К224. Они выполняются на основе толстопленочной технологии с применением бескорпусных транзисторов. Номенклатура схем данной серии охватывает все каскады радиоприемных устройств, а также цветных телевизоров. Относительная простота технологического процесса позволяет при необходимости расширять данную номенклатуру и изменять технологию изготовления аппаратуры в зависимости от конкретных технологических решений.
На рис. 3.10, а показана принципиальная схема, а на рис. 3.10,6 — технологические этапы изготовления гибридной интегральной микросхемы двухкаскадного УНЧ. В соответствии с топологией микросхемы в вакуумной установке способом резистивного испарения (через трафареты) сначала на основание 1 наносят пленки резисторов 2, шин заземления и металлического покрытия 3, а затем окисную пленку диэлектрика конденсатора 4 и металлические пленки 5, выполняющие функции обкладок конденсаторов и соединительных проводников.
После чего на основание (подложку) микросхемы с пленочными резисторами, конденсаторами и проводниками приклеивают транзисторы 6. Электрическое соединение навесных микроэлементов (диодов, транзисторов и др.) с пленками осуществляется микропайкой, микросваркой или термокомпрессией.
Дата добавления: 2015-07-18; просмотров: 1940;