Совмещенные интегральные микросхемы. Большие интегральные микросхемы (БИС)
Дальнейшим развитием технологии производства интегральных микросхем явилось создание схем с большой интеграцией микроэлементов. В совмещенной интегральной микросхеме элементы выполняются в объеме и на поверхности полупроводниковой подложки путем комбинирования технологий изготовления полупроводниковых и пленочных микросхем.
В монокристалле кремния — подложке — методами диффузии, травления и другими получают все активные элементы (диоды, транзисторы и др.), а затем на эту подложку, покрытую плотной пленкой двуокиси кремния, напыляют пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) и токопрово-дящие проводники. Технология получения совмещенных микросхем позволяет изготовлять пассивные элементы с широкими пределами номинальных значений величин.
Для получения контактных площадок и выводов микросхемы на подложку осаждают слой алюминия. Подложка со схемой крепится на внутреннем основании корпуса, а контактные площадки на монокристалле соединяются проводниками с выводами корпуса микросхемы. Готовые микросхемы обычно герметизируются.
Совмещенные интегральные микросхемы конструктивно могут быть выполнены в виде моноблока довольно малых размеров. Например, двухкаскадный высокочастотный усилитель, состоящий из двух транзисторов и шести пассивных элементов, размещается на монокристалле кремния размером 0,012 х 0,06 мм.
Созданы полупроводниковые большие интегральные микросхемы, имеющие на кристалле кремния размером 1,45x1,6 мм до 10 000 и более микроэлементов (транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов и др.) и выполняющие функции до 300 отдельных интегральных микросхем. Ведутся также работы по созданию БИС с еще более высокой степенью интеграции.
Использование БИС при изготовлении радиоэлектронной аппаратуры позволяет резко уменьшить ее габариты, массу, снизить стоимость, значительно повысить надежность и ускорить сборку.
Дата добавления: 2015-07-18; просмотров: 1904;