Структурна і функціональна схеми не дають уявлення про фізичні процеси в логічних елементах. Ці уявлення для кожної серії ІМС дають принципові схеми їх базових логічних елементів.

Для аналогових ІМС, що мають менший ступінь інтеграції, чим цифрові, на мікрорівні розробляють звичайно тільки принципові схеми, на яких у вигляді окремих ЗРЗ показують інтегровані елементи ІМС.

На макрорівні розробляють схеми для МЕУ. Принципова схема МЕУ є сис­темою умовних графічних позначень ІМС, об'єднаних лініями електричного зв'язку (рис. 3.11). Ланцюги живлення на принципових схемах МЕУ не показують

- мається на увазі, що вони є. Біля висновків проставляють номери відповідно до її цоколівки. На принциповій схемі МЕУ кожні ІМС зображають її умовним графічним позначенням, що має форму прямокутника. Мікросхеми, що є наборами непов'язаних функціональних елементів, для спрощення зображення схеми часто зображають відповідною кількістю віддалених один від одного прямокутників (рис. 3.9).

Принципова схема МЕУ визначає повний склад ЕРЕ і електричних зв'язків між ними, вона є основою для конструкторської розробки МЕА, використовується при ремонті МЕА, але на відміну від принципових схем ЕП на дискретних ЕРЕ вона не дає повного уявлення про принципи роботи МЕУ, оскільки графічні позначення ІМС не дають відомостей про принцип їх дії. Недостатню інформацію дають схеми, що входять в документацію на ІМС.

Виключенням є принципові схеми МЕУ, що складаються з одних логічних елементів, або з тригерів і логічних елементів. Ці принципові схеми аналогічні функціональним схемам більш інтегрованих мікросхем і по ним можна одержати детальне уявлення про функціонування МЕУ.

При класифікації схем, очевидно, потрібно брати до уваги співвідношення частин, представлених на ній схемами різного вигляду, і її призначення. Якщо, наприклад, значна частина схеми класифікується як принципова, а невелика функціональна частина, на яку є своя принципова схема, показана блоком структурної схеми, то, природно, така схема повинна бути віднесена до принципових, а не до функціональних. При зворотному співвідношенні частин - схему правильніше вважати функціональною.

потужні функціональні елементи. Наприклад, змішану елементну базу мають підсилювачі, в яких є каскади попереднього підсилення напруги сигналу (ІМС) та потужні каскади (транзистори).

На дискретних елементах створюють ЕП, які не можуть бути побудовані на ІМС по слідуючим двом основним причинам: а) значення деяких електричних параметрів не можуть бути отримані з застосуванням ІМС; б) промисловість не випускає ІМС даного функціонального призначення.

Якщо елементною базою є цифрові ІМС, даний етап завершується вибором конкретної їх серії. В інших випадках він завершується лише встановленням типу елементної бази (дискретні ЕРЕ чи дискретні ЕРЕ та ІМС), а вибір конкретних типів ЕРЕ відбувається при розробці принципіальної схеми та розрахунку параметрів її елементів.

При проектуванні виникає задача вибору ЕРЕ з надзвичайно широкого їх асортименту. При промисловому проектуванні ця задача завдяки правовому обмеженню номенклатури ЕРЕ, діючому у галузі, на підприємства чи при

розробці визначених видів електронних апаратів (ЕА), досвіду розробників не

уявляється складною.

При курсовому проектуванні студенту, що не має необхідних знань та досвіду, правильно обрати ЕРЕ з довідників дуже важко. В зв'язку з цим нижче надані рекомендації по вибору основних типів ЕРЕ.

Вважається, що стандартний ЕРЕ обраний вірно, якщо номінальні значення його параметрів знаходяться у допустимих відношеннях (дорівнюють, більше чи менше) із розрахунковими значенням цих параметрів, а умови експлуатації відповідають ТУ.

1.1 Транзистори.

1 Хоча транзистори є приладами універсального призначення й можуть бути успішно використані у функціональних елементах різних класів, їх слід застосувати переважно за призначенням, вказаному у довіднику.

Набір параметрів та характеристик, що наводиться в довіднику, відповідає в першу чергу цьому призначенню транзистора та забезпечує детальний розрахунок електронної схеми (ЕС) вказаного класу.

За цільовим призначенням транзистори зазвичай поділяють на підсилювальні, перемикаючі (імпульсні), генераторні та спеціальні (лавинні, здвоєнні, двохемітерні тощо).

2. У довіднику наводяться значення параметрів транзистора для відповідних оптимальних чи граничних режимів експлуатації. Робочий режим транзистора у проектуємому ЕП часто відрізняється від вказаного у довіднику. В такому випадку необхідно по наявним у довіднику характеристикам та формулам, а також методом інтерполяції визначити значення параметрів транзистора, що відповідають обраному режиму.

3. Застосування високочастотних транзисторів у низькочастотних ЕП небажане, так як вони дорогі, схильні до самозбудження та розвитку вторинного пробою, володіють меншими експлуатаційними запасами.

Експлуатаційний запас - це різниця між максимальним (граничним) та максимально допустимим (гранично допустимим) значенням будь-якого параметру.

Максимальне значення параметрів визначають такі режимі, при яких робота транзистора (чи іншого ЕРЕ) недопустима з огляду на його низьку надійність; максимально допустимі значення параметрів - такі значення, в межах яких гарантують максимально допустимі значення параметрів.

4. Не допускається перевищення максимально допустимих значень напруг, струмів, температури, потужності розсіювання. Як правило, транзистор працює більш стабільно при неповному використанні його по напрузі та повному використанні по струму.

Для надійної роботи транзистора напруга на його колекторі та розсіювана на ньому потужність повинні складати не більше 70...80% від максимально допустимих значень. Створюємий тим самим другий експлуатаційний запас попереджає перевищення цими параметрами їх максимально допустимих значень при коливаннях, наприклад живлючих напруг, при перехідних режимах, що виникають при вмиканні ЕА тощо.

Не слід застосовувати потужні транзистори там, де можливо застосувати малопотужні, так як при використанні перших у режим малих струмів їх коефіцієнт передачі по струму малий й дуже залежить як від струму, так і від температури навколишнього середовища. Окрім цього, погіршуються масогабаритні та вартісні показники ЕА.

Необхідно застосовувати транзистор мінімально можливий для даних конкретних умов потужності, але так, щоб він при цьому не перенагрівався. Краще застосувати транзистор малої потужності з невеликим тепловідводом, ніж великої потужності без тепловідводу.

5. Якщо немає особливих причин для застосування германієвого транзистора, краще застосувати кремнієвий. Кремнієві транзистори краще працюють при високих температурах, мають більш високі пробивні напруги та на один-два порядки менше, ніж германієві, зворотні струми.

6. Коефіцієнт передачі струму бази Ьгіз залежить від струму колектора та при деякому його значення зазвичай має максимальне значення. Для гарного підсилення на низьких частотах бажано обирати це максимальне значення Ьгіз чи близьке до нього до нього по наводимим у довіднику графікам. У інших випадках коефіцієнт передачі струму слід приймати рівним вказаному у довіднику типовому значенню чи середньому арифметичному від мінімального та максимального значень параметру.

1.2. Напівпровідникові діоди

1. Необхідно застосовувати діоди по вказаному у довіднику призначенню, наприклад у випростовувачі слід застосовувати випростовуючі діоди, у імпульсних пристроях - імпульсні діоди тощо.

2. Зворотня напруга на діоді та прямий струм через нього (а також імпульсний) не повинні перевищувати 70...80% від максимально допустимих значень.

3. Робоча частота не повинна перевищувати вказаного у довіднику граничного значення.

1.3 Резистори

1 У розробляємому ЕП в якості різних навантажень, поглиначів та подільників у ланцюгах живлення, елементів фільтрів, в ланцюгах формування імпульсів тощо, слід застосовувати резистори постійні загального призначення.

2. При курсовому проектуванні рекомендується застосувати резистори постійні загального призначення типа МЛТ.

3. Резистори постійні спеціальні (прецизійні, високочастотні, високоомні, високовольтні тощо) слід застосувати в тих випадках, коли значення відповідних параметрів резисторів загального призначення виявляються недостатніми, наприклад малі точність та опір тощо.

4. Допустиме відхилення опору від номінального значення слід обирати з врахуванням чутливості до нього вихідних параметрів, приймаючи при цьому до уваги вимоги обмеження номенклатури ЕРЕ.

5. Змінні резистори слід застосовувати за призначенням. Підстроєчні резистори, рухлива система яких розрахована на невелику кількість переміщень (до 1000 циклів), - в якості лише підстроєчних, регуліровочні, маса, габаритні та вартість яких вище, - лише в якості регуліровочних.

6. При курсовому проектуванні рекомендується застосовувати змінні резистори.

1.4 Конденсатори.

1. Тип конденсатора обирають по сукупності значень його номінальних ємності та робочій напрузі. Якщо конденсатор обирають для роботи в ланцюгу змінного чи імпульсного струму, то приймають до уваги його тангенс кута втрат.

2. Допустиме відхилення ємності від номінального значення слід обирати з врахуванням чутливості до вихідних параметрів ЕС.

3. Для більшості типів конденсаторів у довідниках вказується номінальна робоча напруга сталого струму. Ефективне значення змінної напруги на конденсаторі має бути у 1,5...2 рази менше вказаної робочої напруги для сталого.

При роботі конденсатора у ланцюгу пульсуючого струму сума сталої напруга та амплітудного значення змінної напруги на ньому не повинна перевищувати його номінальної робочої напруги.

4. Не слід без необхідності застосовувати конденсатор з номінальною робочою напругою, значно перевищуючим робоче, так як при цьому погіршується малогабаритні та вартісні показники виробу.

Оксидні конденсатори виготовляються двох типів: полярні та неполярні. Полярні конденсатори можна встановлювати лише в тих ланцюгах, в яких стала складова напруги на конденсаторі буде більше амплітуди змінної складової. На неполярні конденсатори це обмеження не розповсюджується.

1.5 Мікросхеми.

1. Головною умовою застосування мікросхем є суворе дотримання режимів роботи, рекомендованих у технічних умовах на обрану мікросхему. Це живлення, опір навантаження та діапазону температури.

2. Необхідно роздивитись можливість застосування мікросхем загального застосування, характеризуємих низькою вартістю, широким діапазоном напруги живлення, захищеним входом та виходом.

3. рекомендації по застосуванню аналогових інтегральних схем (ІС) наводяться у довідковій літературі. Так, найбільш повно вимогам до підсилювачів низької частоти задовольняють слідуючі серії мікросхем 122, 123, 140, 153, 173, 174, 224, 226, 235,237.

4. 3 усієї чисельності логічних ІС у сучасній цифровій електроніці найбільш широкого розповсюдження набули транзисторно-транзисторні логічні (ТТЛ), в тому числі і з застосуванням діодів Шотки (ТТЛПІ), логічні елементи з емітерними зв'язками та на МДП-транзисторах.

5. На даний час одними з найбільш перспективних ІС прийнято вважати ТТЛ — схеми, що володіють високою технологічністю й вельми високими показниками якості. Радянською промисловістю освоєне виробництво ТТЛ-ІС серій 106, 130, 133, 134, 135, 141, 155, 158, 230, 243,530, 531, 533, 535.

6. Логічні ІС зі зв'язком по емітеру (ЕСТЛ) відносяться до числа швидкодіючих та надшвидкодіючих мікросхем з великою споживаємою потужністю. Тому ЕСТЛ доцільно використовувати в тих пристроях, до яких пред'являються вимоги максимальної швидкодії, а економічність має другорядне значення. ЕСТЛ полягає в основі таких серій ІС, як 100, 137, 138, 187, 191, 223, 229, 500, призначених для використання у електронно-обчислювальній машині (ЕОМ) надвисокої швидкодії та швидкісних пристроїв дискретної обробки інформації.

7. Логічні МДП-ІС серій 108, 120, 144, 147, 172, 178 виконані на транзисторах з каналами одного типу провідності й відносяться до схем низької швидкодії середньої потужності. Так, один логічний елемент ІС серії 147 споживає 45 мВт й має час затримки не більше 2500 не.

Більш високою швидкодією, дуже малою споживаємою потужністю й вельми великим коефіцієнтом розгалудження по виходу володіють комплементарні МДП-ІС серій 164, 176, 564, 764. Однак по вартості та ступеню інтеграції вони поступаються мікросхемам з каналами одного типу провідності.

8. При виборі мікросхем необхідно уникати застосування ІС різних серій. Якщо цього не уникнути, то краще застосовувати мікросхеми з однаковою напругою живлення.

9. У висновку відмітимо деякі особливості ІС, які необхідно враховувати при монтажі та експлуатації.

Для усунення паразитної генерації по ланцюгам живлення в їх шинах, біля кожного операційного підсилювача (ОП), рекомендується встановити конденсатори ємністю 0,01 ...0,05 мкФ.

Провідники печатної плати, що підводять напругу живлення, можуть створювати паразитні струми, що впливають на входи ОП. Для схем, чутливих до малих струмів, потрібно передбачити захист входів ОП від струмів утіку. Захист доцільно виконати у вигляді провідного кільця печатної доріжки, яке розташовують навколо входів ОП та з'єднують з землею.

Для захисту від сплесків диференціального сигналу при перехідних процесах між входами ОП можна ввімкнути зустрічно-паралельні діоди. Якщо ОП не мають вбудованого захисту від короткого замикання на виході, то необхідно послідовно з вихідним зажимом ввімкнути резистор опором 200 Ом, а ланцюг зворотнього зв'язку під'єднати до іншого виводу резистора. Таке вмикання практично не збільшує вихідний опір ОП.

Експлуатація ТТЛ-ІС також має ряд особливостей. При проектуванні та монтажі апаратури для підвищення стійкості роботи ТТЛ-ІС їх вільні входи необхідно під'єднати через резистор опором 1 кОм до джерела живлення. До кожного резистору дозволяється під'єднання 20 вільних входів. При монтажі мікросхем на печатних платах необхідно передбачати поблизу роз'єму під'єднання конденсаторів із розрахунку не менше 0,1 мкФ на одну ІС, що виключають низькочастотні перешкоди. З метою усунення високочастотних перешкод рекомендується встановлювати по одному керамічному конденсатору на групу мікросхем кількістю не більш 10 із розрахунку 0,002 мкФ на одну ІС.

2 Розробка принципових схем блоків структурної схеми.

Розробка принципової схеми виконується на схемотехнічному етапі проектування й уявляє собою більш високий рівень синтезу ЕП, ніж рівень синтезу структурної схеми. В той час як структурна схема є сукупність формальних моделей функціональних частин ЕП, принципова схема є сукупністю електричних моделей цих частин. Щоб отримати формальну модель, наприклад, подільника частоти, достатньо зобразити прямокутник й написати в ньому «подільник частоти іУп», щоб отримати електричну модель цього подільника, необхідно зобразити електронний ланцюг (електронну схема), здатну виконати цю функцію. Таким чином, принципова схема є другою, менш абстрактною моделлю ЕП. Природно, що вона значно повніша, ніж структурна схема, відображає властивості ЕП.

Принципова схема синтезуються по структурній схемі ЕП на основі аналізу вимог ТЗ, а також вимог, пред'являємих розробником до кожного функціонального елементу. Ці вимоги розробник встановлює, керуючись нормативно-технічними документами (ТОСТ, ОСТ, ТУ та ін.), результатами різних експериментів та випробувань, загальними конструкторськими нормами та правилами з метою обмеження, типізації та уніфікації виробу.

Для деяких функціональних елементів такі вимоги можуть бути сформульовані лише після електричного розрахунку принципових схем інших функціональних частин. В результаті створюється цілком визначений алгоритм розробки принципової схеми та її розрахунку для кожного виду ЕП.

Розробка принципової схеми функціонального елементу міститься у виборі однієї з відомих схем, що найбільш повно задовольняє сукупності техніко- економічних вимог при максимальній її простоті та надійності.

Принципова схема слугує основою для розробки інших конструкторських документів, наприклад схем з'єднань (монтажних) та креслень. Користуються

ними для вивчення принципів роботи ЕП, а також при наладці, контролі та ремонті ЕП.

Якщо різниця між структурною, функціональною та принциповою схемами ЕП на дискретних ЕРЕ достатньо зрозумілі, то для схем ІМС та схем мікроелектронних пристроїв (МЕП) вони не дуже ясні, важко визначити її приналежність до якого-небудь виду схем. Наприклад, замість «функціональна схема тригера» пишуть «схема тригера».

Для мікроелектронної апаратури (МЕА) існує два рівня, на яких розробляють вказані три види схем - мікрорівень та макрорівень.

На мікрорівні розробляють схеми для ІМС. Ці схеми створюють розробники ІМС, вони входять до складу документації на ІМС та приводяться у довідниках та технічній літературі.

До структурних схем цифрових ІМС відносяться схеми, на яких представлені її частини, більш великі, ніж функціональні елементи. Структурні схеми розробляють в основному для великих (ВІС) та надвеликих (НВІС) інтегральних схем. На цьому рівні інтеграції розробка функціональних схем для використання нерозумна з огляду на складність таких схем. Про правильність функціонування ВІС та НВІС роблять висновок по значенням логічних сигналів на їх виходах при тестуванні.

Для ІМС середнього (СІС) і малого (МІС) рівня інтеграції розробляють функціональні схеми. Структурними елементами функціональних схем комбінаційних систем є логічні елементи (рис.3.9). Структурними елементами функціональних схем послідовних систем (система з пам'яттю) є тригери і логічні елементи (рис. 3.10).

Д/з: Вивчити теоретичний матеріал.

Лекція 5

Тема: Складання повної принципової схеми

План

1. Складання повної принципової схеми

2. Доповнення принципової схемі елементами керування, контролю.

Література:

1. Воробьев Н.И. Проектирование электронных устройств. - М.: Вьісшая школа, 1989.- 21 – 62

Після вивчення теоретичного матеріалу за даною темою студенти повинні:

Знати вимоги до виконання принципових схем;

Вміти виконувати принципові схеми.

1. Складання повної принципової схемі електронного пристрою.

Повна принципова схема ЕП складається після розробки принципових схем функціональних елементів (блоків) структурної схеми. Природно, приступаючи до розробки принципової схеми якого-небудь функціонального елементу, необхідно добре ознайомитися з наявними в літературі схемами цього елементу. Синтез схеми відбувається в процесі всебічного аналізу властивостей і параметрів описаних в літературі схем, з'ясування їх відповідності вимогам, що пред'являються, вибору найбільш відповідної цим вимогам схеми.

Елементи настройки можуть бути підбірними і підстроєчними. Перевагою настройки підбірним елементом є вища стабільність, менші маса, габарити і вартість підбірного елементу. Недоліки: велика тривалість настройки, необхідність заміни підборного елементу при заміні деяких інших ЕРЕ. Підборами звичайно бувають тільки резистори. Котушки індуктивності і конденсатори, як правило, підстроєчні. Діапазон зміни параметра елементу настройки невеликий, тому для підвищення точності настройки і виключення небажаних режимів він звичайно реалізується як поєднання підстроєчного елементу з постійним (рис. 3.24) нерегульованим.

Розрахунки погрішності настройки, меж зміни параметрів елементів настройки та інші при випадковому характері розподілу параметрів ЕРЕ і зовнішніх параметрів (напруги живлення, температура, вологість) проводять методами математичної статистики і зважаючи на їх складність в даний час виконують, як правило, на ЕОМ

Великий діапазон регулювання якого-небудь вихідного параметра (напруга, частота, тривалість імпульсів і т. п.), як правило, розбивають на декілька піддіапазонів. Перехід з одного піддіапазону в іншій проводять за допомогою перемикачів стрибком, а вибір значення параметра в межах піддіапазону здійснюють плавною настройкою. Стрибкоподібне перекриття ділянок діапазону здійснюють секціонуванням ЕРЕ (рис. 3.27). Розбиття на піддіапазони підвищує точність настройки (зменшується ціна ділення шкал, збільшується електрична роздільна здатність змінних дротяних резисторів, знижується чутливість змінних конденсаторів і ін.), здешевлює вузол регулювання (відпадає необхідність у високоточному чутливому верн'єрному пристрої), підвищує ККД пристрої (секціонування вторинної обмотки мереженого трансформатора ВІП з лінійним стабілізатором) і ін.

При розбитті на піддіапазони звичайно потрібно змінювати одночасно значення параметрів ряду ЕРЕ. Для цієї мети промисловість випускає блоки перемикачів, блоки змінних резисторів, блоки змінних конденсаторів, що мають єдиний для блоку орган управління. Органи управління регулювальними елементами виводять на лицьові панелі ЕЛ.

При виконанні курсового проекту слідує, якщо це необхідно, передбачити в принциповій схемі ЗУ елементи настройки і регулювання.

Приклад 3.7. Визначити, які елементи настройки повинен мати ВШ, принципова схема якого розроблена в прикладі 3.5 і в якому передбачений елемент регулювання вихідної напруги - К14 (рис. 3.22).

Для вирішення цього питання потрібно аналізувати ситуації, коли напруга на виході ВШ більше або менше заданого, а також роботу системи захисту.

Напруга на виході ВШ вище 12 В. Треба зменшити вихідну провідність складеного регулюючого транзистора (VТЗ – VТ6). Відкриваючи транзистор підсилювача УТ8 за допомогою змінного резистора К14, можна зменшити вхідний струм, а отже зменшити вихідну провідність регулюючого транзистора до необхідного значення при будь-якому поєднанні розкиду параметрів ЕРЕ. Підстроювання не потрібне.

Наприклад, для думки про підключення ЕА до промислової мережі змінного струму, електричної енергії, що має високу якість, достатній один біт інформації, що одержується від сигнальної лампи, горить - «Ввімкнено», не горить - «Вимкнено». Використання для цієї мети стрілочного приладу в даних умовах не виправдане, оскільки надмірна інформація від нього перенавантажує оператора, а менш наочна форма інформації збільшує час її переробки Але в інших умовах, наприклад при живленні ношеної ЕА від акумулятора, коли важливо мати дані про напругу акумулятора, доцільно застосувати стрілочний прилад, по якому можна судити і про включення ЕА, і про напругу живлення

Про лно і параметри ЕА оператор одержує інформацію тільки від елементів коотроло. тому їх надійність повинна бути вище надійності контрольованої ЕА. Вимова елементу контролю у ряді випадків робить неможливою експлуатацію ЕА. в інших випадках він може повести до важких наслідків. Наприклад, ЕА з сигнальною лампою, що відмовила, може бути прийнята за вимкнену, унаслідок чого у відсутність обслуговуючого персоналу можлива пожежа. У сучасній ЕА як сигнальні лампи часто застосовують високонадійні газорозрядні лампи і свгглодіоди.

4 Споживання енергії елементом контролю повинне бути мінімально необхідним для отримання сигналу необхідної інтенсивності. Тому, зокрема, небажано застосування сигнальних ламп, що включаються послідовно з гасівними резисторами.

Розвиток електроніки і ускладнення систем людина — машина привели до розробки нових типів елементів контролю, таких, як світлодіодні індикатори з перелаштовуємим кольором свічення, лінійні газорозрядні індикатори, вимірювальні щитові прилади з цифровою або лінійною світловою індикацією, електролюмінісцентні панелі та ін., що характеризуються великим об'ємом і високою якістю інформації при малому енергоспоживанні.

Елементи електричного захисту вводять в схему для запобігання виходу з ладу або загибелі ЕА при відхиленні значень зовнішніх параметрів (напруга живлення, чпр навантаження і ін.) від допустимих

2. Доповнення принципової схемі елементами керування, контролю.

У схемах багатьох ЕП передбачають елементи (резистори, конденсатори, котушки індуктивності), значення параметрів яких можуть бути змінені в процесі виробництва ЕА, її експлуатації або ремонту з метою встановлення необхідного значення одного або декількох вихідних параметрів пристрою, а також окремих функціональних його частин.

ЕРЕ, значення параметрів яких міняють в процесі виробництва або ремонту, називають елементами настройки. Елементи, значення параметрів яких міняють при експлуатації, називають регулювальними.

Елементи настройки вводять в схему, коли пред'являються жорсткі вимоги до допусків на вихідні параметри функціональних елементів (фільтри, підсилювачі, генератори і т. д.), а реалізація цих вимог без настройки може привести до економічно невигідних або технічно важко здійснимих розрахункових значень допусків на параметри ЕРЕ.

Якщо, наприклад, підсилювач, схема якого показана на рис. 3.23, виготовляти без елементу настройки, то через розкид параметрів ЕРЕ буде вельми мала вірогідність реалізації статичного режиму, при якому Ііових = 0. Застосування точніших резисторів дозволяє понизити розкид вихідної напруги, але ПОВНІСТЮ усунути його неможливо із-за розкиду параметрів транзисторів (транзистора УТ 1), оскільки підбір транзисторів у виробництві не допускається.

Зміна значення параметра будь-якого ЕРЕ впливає хоч би на один з вихідних параметрів пристрою, інакше такої ЕРЕ не потрібен і його можна з схеми видалити. Ступінь впливу зміни параметра і-го елементу де,- на деякий вихідний параметр у прийнято оцінювати за допомогою чутливості [2], яка визначається як приватна похідна.

При достатньо малому відхиленні А Хі від розрахункового значення де,- зміна вихідного параметра А у, визначається лінійним виразом.

Як елемент настройки бажано вибирати елемент схеми, зміна параметра якого найсильніше впливає на вихідний параметр, що настроюється, але мало впливає на інші вихідні параметри. Дотримання даного принципу дозволяє мінімізувати число елементів настройки і реалізувати роздільну настройку вихідних параметрів.

У даному підсилювачі (рис. 3.23) елементом настройки повинен бути один з резисторів першого каскаду, оскільки чутливість вихідної напруги до зміни їх опорів найбільш висока. Використання резисторів К.кі або Язі як елемент настройки небажано, оскільки це впливає на коефіцієнт посилення напруги К1=Якл/Коі, а отже, і на смугу пропускання підсилювача. Для настройки використовується один з резисторів вхідного дільника. Чутливість напруги зсуву Ее на базі транзистора У77 вище (при Кі>1) до зміни опору нижнього резистора дільника, тому для настройки підсилювача вибраний нижній резистор дільника.

Д/з: Вивчити теоретичний матеріал