Ждущий мультивибратор

 

Схема ждущего мультивибратора приведена на рис. 4.1.23, а временные диаграммы, поясняющие его работу, на рис. 4.1.24.

В исходном состоянии на базу транзистора Т2 подается положительное напряжение от источника питания Ек через резистор RБ2. В этом случае напряжение на базе транзистора Т2 равно:

UБ2 = Ек URБ2,

где URБ2 – падение напряжения на резисторе RБ2.

Падение напряжения на резисторе RБ2 равно произведению тока, протекающего через резистор, на величину сопротивления этого резистора:

URБ2 = IБ2 · RБ2 ;

 

 


Рис. 4.1.23. Ждущий мультивибратор

 

 

 

 


Рис. 4.1.24. Временные диаграммы ждущего мультивибратора

 

Поскольку ток, протекающий через резистор RБ2 незначителен, то падение напряжения на этом резисторе мало, и к базе транзистора Т2 приложено почти полное напряжение источника питания Ек, благодаря чему транзистор Т2 поддерживается в открытом состоянии.

Коллекторный ток транзистора Т2, протекая через резистор RЭ, создает на этом резисторе падение напряжения, которое прикладывается к эмиттеру транзистора Т1. В то же время к базе транзистора Т1 приложено напряжение, снимаемое с делителя, образованного резисторами R1 и R­2. Параметры резисторов R1, R­2 и RЭ подобраны таким образом, чтобы в исходном состоянии потенциал базы транзистора Т1 оказался ниже, чем потенциал его эмиттера. В этом случае транзистор Т1 закрыт, и напряжение на его коллекторе практически равно напряжению источника питания: Uк1 = Ек. При этом конденсатор С2 заряжается от источника питания Ек через резистор RК1, промежуток база – эмиттер открытого транзистора Т2 и резистор RЭ. Время заряда конденсатора определяется, в основном, величиной емкости этого конденсатора и сопротивлением резистора RК1. По истечении указанного времени конденсатор С2 оказывается заряженным до максимального значения UCmax, причем левая обкладка конденсатора имеет потенциал, равный напряжению источника питания Ек, а правая – потенциал (ЕкUCmax).

Запуск ждущего мультивибратора осуществляется подачей положительного импульса на базу закрытого транзистора Т1 через конденсатор С1. При этом в цепи коллектора транзистора Т1 появляется ток Iк1, протекание которого через резистор Rк1увеличивает падение напряжения на этом резисторе, в связи с чем потенциал коллектора транзистора Т1 понижается на величину UR1 = Iк1 · Rк1, и становится равным UК1 = ЕкUR1. Это вызывает понижение потенциала левой обкладки конденсатора С2 до величины UК1 = ЕкUR1. Поскольку в этот момент напряжение на конденсаторе С1 остается равным UCmax, то потенциал правой обкладки этого конденсатора уменьшается от значения (ЕкUCmax) до значения (UК1UCmax) = (ЕкUR1) – UCmax. Этот потенциал приложен к базе транзистора Т2, поэтому понижение указанного потенциала уменьшает коллекторный ток транзистора Т2. Поскольку коллекторный ток транзистора Т2 проходит через резистор RЭ, то уменьшение этого тока уменьшает падание напряжения на резисторе RЭ, что приводит к понижению потенциала эмиттера транзистора Т1, в связи с чем коллекторный ток транзистора Т1 еще больше увеличивается. Происходит лавинообразный процесс отпирания транзистора Т1 и запирания транзистора Т2.

В момент отпирания транзистора Т1 начинается перезаряд конденсатора С2 по цепи: источник питания + Ек, резистор RБ2, промежуток коллектор – эмиттер открытого транзистора Т1, резистор RЭ. Протекание тока перезаряда конденсатора С2 вызывает падание напряжения URБ2 на резисторе RБ2. Величина этого падения напряжения равна произведению тока перезаряда конденсатора С2 на величину сопротивления резистора RБ2. В начальный момент после запирания транзистора Т2 ток перезаряда конденсатора имеет максимальное значение, поэтому величина падения напряжения на резисторе RБ2 оказывается достаточной для поддержания транзистора Т2 в закрытом состоянии. По мере уменьшения тока перезаряда, величина падения напряжения на резисторе RБ2 постепенноуменьшается, потенциал базы транзистора Т2 увеличивается, и через некоторое время транзистор Т2 снова отпирается, а транзистор Т1 запирается. Таким образом, после перезаряда конденсатора происходит обратный лавинообразный процесс, возвращающий схему в исходное состояние. Время перезаряда конденсатора С2 определяется величиной емкости этого конденсатора и величиной сопротивления резистора RБ2.

 

 








Дата добавления: 2015-06-22; просмотров: 949;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.005 сек.