Блокинг-генератор

 

Для обеспечения автоколебательного режима блокинг-генератора необходимо, чтобы при включении питающего напряжения сразу началось формирование его выходного импульса. Такой режим устанавливается только в том случае, если на базу транзистора подано начальное отпирающее напряжение смещения U0.

Схема автоколебательного блокинг-генератора приведена на рис. 4.1.17 а временные диаграммы, поясняющие его работу, – на рис. 4.1.18.

Ек Тр

Рис. 4.1.17. Схема автоколебательного блокинг-генератора  
R1

R3 C1 Uвых

 

 

C2 R2

Т

 

 

Для получения начального напряжения смещения, обеспечивающего автоколебательный режим блокинг-генератора, в рассматриваемой схеме используется делитель напряжения, включенный в цепь источника питания Ек. Этот делитель состоит из резисторов R1 и R2. Отрицательное напряжение смещения, снимаемое с выхода делителя (резистор R2), подается на базу транзистора Т. Для предотвращения отрицательной обратной связи резистор R2 зашунтирован по высокой частоте конденсатором С2.

В момент включения питания, благодаря начальному смещению Eб, транзистор оказывается в открытом состоянии. В его коллекторной цепи начинает протекать ток. При протекании тока через первичную обмотку импульсного трансформатора в его вторичной обмотке индуктируется э.д.с.

 

Uб

 


t

U0

 

 

–Uб

 

Iк

 

 

t

 

t

 

 


Ек

 

Uк

 

Рис. 4.1.18. Временные диаграммы

автоколебательного блокинг-генератора

 

Полярность включения вторичной обмотки такова, что на ее выходе появляется отрицательный импульс, который вызывает ток заряда конденсатора С1 через сопротивление "база – эмиттер" открытого транзистора. Этот ток еще больше открывает транзистор, и начинается лавинообразный процесс нарастания тока коллектора.

Когда конденсатор полностью зарядится, ток заряда прекратится, и положительный потенциал заряженного конденсатора окажется приложенным к базе транзистора, что приведет к запиранию транзистора.

После этого конденсатор С1 начнет разряжаться через резистор R3, цепочку R2С2 и вторичную обмотку трансформатора. Скорость разряда конденсатора С1 определяется, в основном, его емкостью и сопротивлением резистора R3.

По мере разряда конденсатора С1 запирающее напряжение на базе транзистора постепенно уменьшается, что в конечном итоге приведет к отпиранию транзистора, лавинообразному нарастанию тока коллектора и новому циклу заряда конденсатора С1.

 








Дата добавления: 2015-06-22; просмотров: 983;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.004 сек.