На ЭП подается прямое напряжение

На КП подается обратное напряжение

5) UКЭ>>UБЭ

В данном случае непосредственно к КП источник не подключен, но, так как UКБ=UКЭ-UБЭ и UБЭ<<UКЭ, UКБ имеют ту же полярность, что и UКЭ, то есть обратную к КП. На ЭП подано прямое U и электроны инжектируют из Э в Б (инжекцией дырок из Б в Э пренебрегаем ввиду их малой концентрации).

Пусть m-число электронов, инжектированных в базу. Так как ширина базы меньше длины свободного пробега носителей заряда, большинство электронов достигают КП и пересекая его, в результате экстракции попадают в К (действующее в районе КП поле является ускоряющим для ННЗ, которыми являются электроны в базе.

Пусть αm – число электронов, экстрактированных в коллектор

α- коэффициент передачи тока эмиттера α=0,9-0,99 тогда (1-α)m – число электронов, рекомбинировавших с дырками базы.

Из Э уходят электроны, создавая ток IЭ.

Из К во внешнюю цепь уходят электроны, создавая ток IK.

Из базы во внешнюю цепь уходят электроны, освобождающиеся в процессе рекомбинации, создавая ток IБ.

Согласно первому закону Кирхгофа:

IЭ=IK+IБ

m=mα+(1-α)m кроме этого необходимо учесть обратный ток коллекторного перехода IКБО, образованный движением ННЗ через КП, совпадающий по направлению с IК и направленный навстречу IБ, следовательно

IK=αIЭ+IКБО

IБ=(1-α)IЭ-IКБО

IЭ=IК+IБ

В схеме ОЭ вход – IБ, а для выходного управляемого IK необходимо получить уравнение в виде IK=f(IБ)

IK=αIЭ+IКБО=α(IK+IБ)+IКБО

α 1

IK = IБ+ IБКО

1-α 1-α

=β – коэффициент передачи тока базы = 10÷1000

1-α

=1+β

1-α

IK=βIБ+(1+β)IКБО

βIБ- управляемая составляющая коллекторного тока, показывающая что изменение малого IБ вызывает в β раз больше изменение Ik.

Биполярный транзистор сам по себе не усиливает мощность, а лишь регулирует отдачу мощности от источника коллекторного напряжения Uкэ.

2.1.5.3 ВАХ БТ

Икэ = 5

IБ=f(UБЭ)

ИКЭ

Семейство входных характеристик для БТ с ОЭ.

Увеличение Uкэ смещает ВАХ в область малых токов, так как увеличивается ширина КП за счет базы, ширина базы уменьшается, вероятность рекомбинации ОНЗ в базе уменьшается. IБ – уменьшается. Это явление называется «модуляцией ширины базы».

IБ”’

IБ

IБ

IБ=0

IКБО

Семейство выходных характеристик для БТ с ОЭ.

IБ’”>IБ”>IБ








Дата добавления: 2015-06-17; просмотров: 728; ЗАКАЗАТЬ НАПИСАНИЕ РАБОТЫ


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2022 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.006 сек.