U – напряжение, приложенное к р-п переходу

е – заряд электрона

к – постоянная Больцмана

Т – абсолютная температура

Прямая ветвь: Inp= I₀e^40U для Т=300 К

Обратная ветвь: Iобр= -I_o.

При достижении Uобр определяем U, р-п переход пробивается. - 2 вида пробоя : 1)электронный ; 2)тепловой

1. электронный пробой – лавинообразное увеличение обратного тока вследствие ударной ионизации атомов кристаллической решётки быстрыми носителями заряда и отрывом валентных элементов. – образуется пара электрон – дырка, процесс происходит лавинообразно. Обратим: Если не обеспечен теплоотвод, электронный пробой может перейти в тепловой (необратимый) - интенсивная термогенерация носителей заряда:

при t°≥100-150 с и t°≤-60-70c р-п переход теряет свои свойства.

Т.о. ВАХ р-п перехода позволяет рассмотреть его, как нелинейный элемент, сопротивление которого резко изменяется в зависимости от направления и величины приложенного U. т.е.р-п переход обладает свойством односторонней проводимости.

2.1.3 Виды полупроводниковых диодов.

Выпрямительный диод.

Основные параметры: