На входе его практ. не расходуется мощность.

Схема замещения пол. тр-ра с упр. p-n

В обл. выс. част. В обл. ниж. част.

Характеризует работу тр-ра в обл. 2 стоковой ВАХ для перемен. составл. тока и И

2.1.4.2 МДП транзистора

Полевые транзисторы с изолированным затвором в отличии от вышерассмотренных имеют затвор, изолированный от области канала слоем диэлектрика (им может быть SiO2)

Принцип действия основан на эффектах изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля.