ЗАКЛЮЧЕНИЕ. Рассмотренные в учебном пособии вопросы являются весьма значимыми при изучении и проектировании электронной аппаратуры.

Рассмотренные в учебном пособии вопросы являются весьма значимыми при изучении и проектировании электронной аппаратуры.

При освоении материала целесообразно использовать современные программы схемотехнического моделирования, позволяющие проводить глубокие и содержательные исследования, в том числе и при проведении лабораторных работ.

Для изучения современной микроэлектронной элементной базы огромное количество информации (в том числе и русскоязычной) можно получить в Internet на сайтах фирм-производителей и торгующих организаций.

ПРИЛОЖЕНИЕ

Транзистор КТ3102АМ

Биполярный транзистор типа n-p-n КТ3102АМ выпускается в пластмассовом корпусе, чертеж которого (вид снизу и сбоку) показан на рис. П1.

В табл. П1 приведены рабочие, а в табл. П2 – предельно допустимые параметры транзистора. На рис. П2 представлены вольтамперные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером.

Рис. П1

Таблица П1

Параметр	Значение
Обратный ток коллектора мкА	0,05
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером	100-250
Модуль на частоте 100 МГц не менее
Емкость коллекторного перехода пФ

Таблица П2

Параметр	Значение
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер и коллектор-база В
Максимально допустимое напряжение база-эмиттер В
Максимально допустимый ток коллектора мА
Максимально допустимая рассеиваемая на коллекторе мощность мВт

Рис. П2