ЕМКОСТИ ПЕРЕХОДА
п — р-переход при обратном напряжении uобр аналогичен конденсатору со значительным током утечки в диэлектрике. Запирающий слой имеет высокое сопротивление и играет роль диэлектрика, а по обе его стороны расположены два разноименных объемных заряда + Qобр и –Qобр, созданные ионизированными атомами донорной и акцепторной примеси. Поэтому n —р-переход обладает емкостью, подобной конденсатору с двумя обкладками. Эту емкость называют барьерной емкостью. При постоянном напряжении она определяется отношением
а при переменном напряжении
(3.5)
Барьерная емкость, как и емкость обычных конденсаторов, возрастает при увеличении площади п — р-перехода, диэлектрической проницаемости полупроводника и уменьшении толщины запирающего слоя. Несмотря на то что у диодов небольшой мощности площадь перехода мала, емкость Cбвесьма заметна за счет малой толщины запирающего слоя и сравнительно большой относительной диэлектрической проницаемости (например, у германия 8 = 16). В зависимости от площади перехода значение Сб может быть от единиц до сотен пикофарад. Особенность барьерной емкости состоит в том, что она нелинейная, т.е. изменяется при изменении напряжения на переходе. Если обратное напряжение возрастает, то толщина запирающего слоя увеличивается и емкость Сб уменьшается. Характер этой зависимости показывает график на рис. 3.3. Как видно, под влиянием напряжения Uобр емкость Сб изменяется в несколько раз.
Барьерная емкость вредно влияет на выпрямление переменного тока, так как шунтирует диод и через нее на более высоких частотах проходит переменный ток. Однако барьерная емкость бывает и полезной. Специальные диоды (варикапы и варакторы) используют как конденсаторы переменной емкости для настройки колебательных контуров, а также в некоторых схемах, работа которых основана на свойствах нелинейной емкости. В отличие от обычных конденсаторов переменной емкости, в которых емкость изменяют механическим путем, в варикапах это изменение достигается регулировкой обратного напряжения. Такую настройку колебательных контуров называют электронной настройкой.
При прямом напряжении диод кроме барьерной емкости обладает так называемой диффузионной емкостью Сдиф, которая также нелинейна и возрастает при увеличении uпр. Диффузионная емкость характеризует накопление подвижных носителей заряда в п- и р-областях при прямом напряжении на переходе. Она практически существует только при прямом напряжении, когда носители заряда в большом количестве диффундируют (инжектируют) через пониженный потенциальный барьер и, не успев рекомбинировать, накапливаются в п-и р-областях. Так, например, если в некотором диоде р-область является эмиттером, а n-область — базой, то при подаче прямого напряжения из р-области в n-область через переход устремляется большое число дыроки, следовательно, в n-области появляется положительный заряд. Одновременно под действием источника прямого напряжения из провода внешней цепи в n-область входят электроны и в этой области возникает отрицательный заряд. Дырки и электроны в n-области не могут мгновенно рекомбинировать. Поэтому каждому значению прямого напряжения соответствует определенное значение двух равных разноименных зарядов +Qдиф и -Qдиф, накопленных в n-области за счет диффузии носителей через переход.
Диффузионная емкость значительно больше барьерной, но использовать ее не удается, так как она зашунтирована малым прямым сопротивлением самого диода.
Имея в виду, что диод обладает емкостью, можно составить его эквивалентную схему для переменного тока (рис. 3.4, а). Сопротивление Ro в этой схеме представляет собой суммарное, сравнительно небольшое сопротивление п- и р-областей и контактов этих областей с выводами. Нелинейное сопротивление Rнл при прямом напряжении равно Rnp, т. е. невелико, а при обратном напряжении Rнл = Ro6p, т. е. оно очень большое.
Рис. 3.4. Полная и упрощенные эквивалентные схемы полупроводникового диода
Приведенная эквивалентная схема в, различных частных случаях может быть упрощена. На низких частотах емкостное сопротивление очень велико и можно емкость не учитывать. Тогда при прямом напряжении в эквивалентной схеме остаются лишь сопротивления Ro и Rnp (рис. 3.4,6), а при обратном напряжении — только сопротивление Roбр> так как Ro << Ro6p (рис. 3.4, в). На высоких частотах емкости имеют сравнительно небольшое сопротивление. Поэтому при прямом напряжении получается схема по рис. 3.4, г (если частота не очень высокая, то Сдиф практически не влияет), а при обратном остаются Rобри Сб (рис. 3.4, д).
Следует иметь в виду, что существует еще емкость Св между выводами диода, которая может заметно шунтировать диод на очень высоких частотах. Она показана на рисунке штрихами. На СВЧ может также проявляться индуктивность выводов.
Дата добавления: 2015-05-19; просмотров: 819;