Принцип действия транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом

На подложке тот же потенциал, что и на истоке.

Электроны будут уходить от затвора вглубь полупроводника, в результате чего под затвором возникает зона, обеднённая носителями заряда. Происходит оголение атомов примеси. Возникает инверсный слой за счёт того, что из кармана туда будут поступать дырки. В итоге между истоком и стоком возникает канал проводимости. Толщину поперечного сечения канала можно изменять, изменяя напряжение на затворе.

Полевой транзистор с индуцированным каналом работает в режиме обеднения носителей заряда.

 








Дата добавления: 2015-05-08; просмотров: 573;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.004 сек.