Статические характеристики полевого транзистора с p-n-переходом

= );

= ).

Возможно четыре семейства статических характеристик.

На практике рассматривают два семейства.

= | ;

= | .

Выходные статические характеристики:

= | .

| '| < | ''| < | '''|.

1 – участок открытого транзистора (участок насыщения). На этом участке канал ещё полностью открыт.

2 – активный участок – основной рабочий участок работы транзистора. На этом участке наблюдается перекрытие канала проводимости. Это происходит в точке . При этом увеличивается сопротивление транзистора. При достаточных напряжениях на стоке в ПТ могут возникнуть условия для возникновения пробоя затвора транзистора. При увеличении отрицательного напряжения на затворе напряжение пробоя будет уменьшаться.

Характеристики передачи:

= | .

Напряжение отсечки – напряжение , при котором ток стока становится равным нулю. При = 0 ток стока – начальный.

Полевой транзистор с p-n-переходом может работать и при небольших положительных напряжениях.

Важной характеристикой ПТ является крутизна:

= | . (4.1)

Крутизна показывает, на сколько миллиампер изменится ток стока при изменении напряжения на 1 вольт.

При увеличении температуры в полевом транзисторе увеличивается напряжение , т. к. увеличивается высота потенциального барьера; уменьшается крутизна транзистора, т. к. уменьшается подвижность носителей, длина свободного пробега.

В точке 1 произойдёт пересечение – первая термостабильная точка. При изменении температуры ток не меняется.

4.2 Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)

МДП-транзистор– транзистор, затвор которого выполнен в виде проводящей пластины и отделён от полупроводника слоем диэлектрика.

В качестве диэлектрика используют оксид кремния.

Возможны две структуры полевого транзистора с изолированным затвором:

1. Полевые транзисторы с индуцированным каналом, в которых канал возникает только при определённых напряжениях на затворе.

2. Полевые транзисторы со встроенным каналом.

В транзисторах канал существует при нулевых напряжениях на затворе.

В некоторых транзисторах подложка соединяется с истоком.

Полевой транзистор со встроенным каналом: