Потужні МДН – транзистори

Такі транзистори мають короткий канал, який забезпечує низький опір відкритого транзистора у ключовому режимі й високу крутизну у підсилювальному режимі (рис. 4.23).

У цих приладах багатоканальність поєднується з вертикальністю структури. - подібні затвори таких ПТ сприяють збільшенню багатоканальності приладу, оскільки кожний затвор “обслуговує” два витоки і два канали.

Рисунок 4.23 – Фрагмент структури багатоканального потужного МДН – транзистора

Основні особливості приладу (рис. 4.23) – це зменшення довжини каналу і використання високоомної стокової - області, через яку відбувається дрейф носіїв заряду струму стоку. Просте укорочення каналу призвело б до зниження пробивної напруги між стоком і затвором. Уведення додаткової дрейфової області дозволяє зберегти значення пробивної напруги транзистора.