Потужні польові транзистори

Потужні польові транзистори в ключовому і підсилювальному режимах повинні забезпечувати високий ККД. У ключовому режимі треба намагатися, щоб опір транзистора у відкритому стані був мінімальним, тоді втрати потужності в приладі також будуть мінімальними. У підсилювальному режимі великий опір каналу ПТ приводить до зменшення крутизни за рахунок перегріву, а також із причини виникнення негативного зворотного зв’язку через опір витоку .

Тому головною вимогою до потужних ПТ є зниження опору каналу. З цією метою у приладі використовують велику кількість паралельно з’єднаних каналів або створюють короткий канал завдяки переходу від традиційних горизонтальних (планарних) структур до вертикальних, у яких напрям струму перпендикулярний до поверхні струму.

Необхідно пропускати великі струми і розсіювати значні потужності, що робить необхідним збільшення площі структури потужних ПТ; це викликає збільшення паразитних ємностей і, як наслідок, зменшення швидкодії ПТ. Тому створення потужного і разом з тим швидкодіючого (високочастотного) ПТ – це важлива проблема напівпровідникової електроніки.