Вихідні характеристики

Це залежності (рис. 3.23).

Межею між РВ та АР є характеристика, що знята при струмі бази . Це обумовлено особливостями вхідних характеристик схеми зі спільним емітером, тобто тим, що лише при позитивних напругах (у режимі відсічки). Вихідна характеристика при відповідає випадку, коли

. (3.37)

Рисунок 3.23 – Статичні вихідні характеристики БТ зі спільним емітером

При цьому зростання негативної напруги приво­дить до збільшення напруги , при якій зберігається умова (3.37), як це випливає з сім’ї вхідних характеристик (рис. 3.21). Остання обставина викликає зростання емітерного і, як наслідок, колекторного струмів.

При подальшому збільшенні струму вихідні характеристики змінюються за законом

(3.38)

Нееквідистантність зміщення характеристик у бік більших струмів колектора зумовлена характером залежності (рис. 3.24).

Характер проходження вихідної характеристики БТ при фіксованому струмі бази пояснюється наступним чином. При за рахунок того, що потенціал бази нижчий, ніж однакові потенціали емітера і колектора, ЕП і КП увімкнено в прямому напрямі, і БТ перебуває у РН.

Рисунок 3.24 – Залежність

Тепер, якщо збільшувати негативний потенціал на колекторі ( ), потенціальний бар’єр КП збільшується, інжек­ційна складова колекторного струму спадає, а керований струм колектора за рахунок зростаючої екстракції дірок з бази до колектора збільшується. При збільшенні напруги до настання рівності струм різко зростає за рахунок розсмоктування дірок, що нагромади­лись у базі в РН. При виконанні рівності транзистор переходить до АР, зростання колекторного струму сповільнюється, що на характеристиках рисунка 3.23 відповідає початку пологої ділянки. Важливим є те, що нахил вихідних характеристик БТ зі спільним емітером на пологій ділянці більший за нахил відповідних характерис­тик БТ зі спільною базою, тобто у ССЕ струм зростає при збільшенні колекторної напруги швидше, ніж у ССБ. Це зумовлено двома причинами.

1 Напруга , на відміну від вихідної напруги у ССБ, розподіляється між ЕП та КП, а не прикладена лише до КП. Тому при збільшенні дещо зростає й напруга , що приводить до збільшення емітерного , а отже, і колекторного струмів.

2 Зростання негативної напруги приводить до збільшення товщини КП і зменшення активної ширини бази . Це приводить до зменшення рекомбінаційного струму бази, бо зменшується ймовірність рекомбінації дірок з електронами. Однак при одержанні вихідних характеристик БТ зі спільним емітером потрібно підтримувати струм бази саме постійним. Тому зменшення струму бази можна компенсувати збільшенням струму емітера (за рахунок збільшення напруги ). А ця обставина викликає додаткове зростання колекторного струму .