Транзисторы р-n-р
Получение р-n-р транзисторов с такими же высокими параметрами, как и n-р-n транзисторы, в едином технологическом цикле остается до сих пор нерешенной задачей. Поэтому все существующие варианты интегральных р-n-р транзисторов существенно уступают n-p-n транзисторам по коэффициенту усиления и предельной частоте.
Как известно, при прочих равных условиях кремниевые р-n-p транзисторы уступают n-p-n транзисторам по предельной частоте примерно в 3 раза из-за меньшей подвижности дырок по сравнению с электронами. Поэтому в данном случае, говоря о меньшей предельной частоте p-n-p транзисторов, мы имеем в виду, что не удается обеспечить те «равные условия», при которых различие было бы только в три раза.
В настоящее время основным структурным вариантом является горизо- нтальный p-n-p транзистор (рисунок 4.12). Эмиттерный и коллекторный слои
Рисунок 4.12
получаются на этапе базовой диффузии n-р-n транзистора, причем коллек- торный слой охватывает эмиттер со всех сторон. Это позволяет собирать инжектированные дырки со всех боковых частей эмиттерного слоя. Припо- верхностные боковые участки р-слоевхарактерны повышенной концентрацией примеси, что способствует увеличению коэффициента инжекции. Поскольку базовая диффузия сравнительно мелкая (2-3 мкм), ширину базы (т. е. рассто- яние между р-слоями) удается сделать порядка 3-4 мкм. В результате пре- дельная частота может составлять до 20-40 МГц, а коэффициент усиления до 50.
Из рисунка 4.12 видно, что горизонтальный p-n-p транзистор (как и паразитный) является бездрейфовым, так как его база однородная- эпитаксиальный n-слой. Этот фактор вместе с меньшей подвижностью дырок предопределяет примерно на порядок худшие частотные и переходные свойства p-n-p транзистора даже при той же ширине базы, что и у дрейфового n-p-n транзистора. Из рисунка также видно, что для увеличения коэффициента передачи эмиттерного тока желательно, чтобы площадь донной части эмиттерного слоя была мала по сравнению с площадью боковых частей. Значит, эмиттерный слой нужно делать как можно более узким (ширина окна под диффузию этого слоя составляет 3-5 мкм).
Заметим, что горизонтальному p-n-p транзистору свойственна электрофизическая симметрия, так как слои эмиттера и коллектора однотипные. В частности, это означает, что пробивные напряжения эмиттерного и коллекторного переходов одинаковы (обычно 30-50 В).
Недостатки горизонтального p-n-p транзистора можно устранить в верти- кальной структуре, но ценой дополнительных технологических операций.
Дата добавления: 2015-04-21; просмотров: 1037;