Биполярные транзисторы. Предназначены для усиления сигналов и управления током в схемах полупроводниковой электроники.

Предназначены для усиления сигналов и управления током в схемах полупроводниковой электроники.

Представляют из себя трехслойную структуру с чередующимися слоями проводимости, имеют три вывода для подключения к внешней цепи.

Биполярные подчеркивают то, что у таких транзисторов используется оба типа носителей зарядов (электроны и дырки).

Существует два типа транзисторов:

1. С прямой проводимостью (p-n-p)
2. С обратной проводимостью (n-p-n)

Крайние слой называются коллектором и эмиттером, слой между ними – базой.

Э-Б – эмиттерный переход.

Б-К – коллекторный переход.

Особенности конструкции:

1. Толщина базы должна быть меньше длины свободного пробега носителей зарядов.
2. Концентрация основных носителей (примеси) в эмиттере должна быть много больше, чем в базе.

>> - для p-n-p перехода.

Эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный в обратном.

Схемы с общим эмиттером (ОЭ):

Схема с общим эмиттером называется так потому, что входная и выходная цепь имеют общую точку на эмиттере.