Транзистор с барьером Шоттки.
На рисунке 4.11а показана структура интегрального транзистора Шоттки (ТШ). Здесь очень изящно решена задача сочетания транзистора с диодом Шоттки: алюминиевая металлизация, обеспечивающая омический контакт со слоем базы, продлена в сторону коллекторного n-слоя. На первый взгляд, коллекторный слой оказался закороченным со слоем базы. На самом же деле алюминиевая полоска образует с р-слоем базы невыпрямляющий, омический контакт, а с n-слоем коллектора выпрямляющий контакт Шоттки. 
| а) | б) |
Рисунок 4.11
Разумеется, структурное решение, показанное на рисунке 4.11а, можно использовать не только в простейшем транзисторе, но и в МЭТ. В обоих случаях отсутствуют накопление и рассасывание избыточных зарядов, и получается существенный (в 1,5-2 раза) выигрыш во времени переключения транзисторов из открытого в запертое состояние.
Условное графическое обозначение (ТШ) приведено на рисунке 4.11б.
Дата добавления: 2015-04-21; просмотров: 1281;