Интегральные диоды

Отдельно диодные структуры в ППИМС не формируются, а в качестве диода используются любой из двух p-n переходов транзистора: эмиттерный или коллекторный. Можно также использовать их комбинации. Поэтому по существуинтегральный диод представляет собой диод­ное включение интегрального транзистора.

а) б) в) г) д)

Рисунок 4.13

 

Пять возможных вариантов диодного включения транзистора показаны на рисунке 4.13. В таблице 4.1 приведены типичные параметры этих вариантов. Для них приняты следующие обозначения: до чер­точки стоит обозначение анода, после черточки - катода; если два слоя соединены, их обозначения пишутся слитно. Из таблицы видно, что варианты различаются как по статическим, так и по ди­намическим параметрам.

Пробивные напряженияUПР зависят от используемого перехода: они меньше у тех вариантов, в которых используется эмиттерный переход (см. таблицу 4.1).

Обратные токи IОБР (без учета токов утечки) - это токи термо­генерации в переходах. Они зависят от объема перехода и, следовательно, меньше у тех вариантов, у которых используется только эмиттерный переход, имеющий наименьшую площадь.

Емкость диодаСд (т. е. емкость между анодом и катодом) за­висит от площади используемых переходов; поэтому она макси­мальна при их параллельном соединении (вариант Б- ЭК). Пара­зитная емкость на подложкуСП шунтирует на «землю» анод или ка­тод диода (считается, что подложка заземлена). Емкость СП, как правило, совпадает с емкостью СКП, с которой мы встретились при рассмотрении n-p-n транзистора (рисунок 4.7). Однако у ва­рианта Б - Э емкости СКП и СК оказываются включенными после­довательно и результирующая емкость СП минимальна.

 

Таблица 4.1

Параметр Тип диодов
БК-Э Б-Э БЭ-К Б-К Б-ЭК
UПР, В 7-8 7-8 40-50 40-50 7-8
IОБР, нА 0,5-1 0,5-1 15-30 15-30 20-40
СД, пФ 0,5 0,5 0,7 0,7 1,2
СП, пФ 1,2
tВ, нс

 

Время восстановленияобратного тока tВ(т. е. время переключения диода из открытого в закрытое состояние) минимально у варианта БК-Э; у этого варианта заряд накапливается только в базовом слое (так как коллекторный переход закорочен). У других вариан­тов заряд накапливается не только в базе, но и в коллекторе, так что для рассасывания заряда требуется большее время.

Сравнивая отдельные варианты, приходим к выводу, что в целом оптимальными вариантами являютсяБК-Э и Б-Э.Малые пробивные напряжения этих вариантов не играют существенной роли в низковольтных ИМС. Чаще всего используется вариант БК-Э.

Помимо собственно диодов, в ИМС часто используются интеграль­ные стабилитроны. Они также осуществляются в нескольких ва­риантах, в зависимости от необходимого напряжения стабилизации и температурного коэффициента.

Если необходимы напряжения 5-10 В, то используют обрат­ное включение диода Б-Э в режиме электрического пробоя, при этом темпе­ратурная нестабильность составляет + (2-5) мВ/° С.

Широкое распространение имеют стабилитроны, рассчитанные на на-

пряжения, равные или кратные напряжению на открытом пе­реходе U*»0,7 В. В таких случаях используют один или несколь­ко последовательно включенных диодов БК-Э, работающих в прямом направлении. Температурная нестабильность в этом случае составляет -(1,5-2) мВ/° С.

Если в базовом слое осуществить два p-n перехода,то при подаче напряжения между n+-слоями один из переходов работает в режиме лавинного пробоя, а второй - в режиме прямого смещения. Такой вариант привлекателен малой темпера­турной нестабильностью (±1 мВ/°С и менее), так как температур­ные нестабильности при лавинном пробое и при прямом смещении имеют разные знаки.

 








Дата добавления: 2015-04-21; просмотров: 1143;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.004 сек.