Эффект Миллера.

Емкость Скб играет здесь основную роль. Усилитель обладает некоторым коэффициентом усиления по напряжению Кu, следовательно, небольшой сигнал напряжения на входе порождает на коллекторе сигнал в Ku раз превышающий входной. Из этого следует, что для источника сигнала емкость Скб в (Кu+1) раз больше, чем при подключением Скб между базой и землей, т.е. при расчете частоты среза входного сигнала можно считать, что емкость ОС ведет себя как конденсатор емкостью Скб(Кu+1), подключенный между входом и землей. Такое увеличение емкости Скб и называется эффектом Миллера.

Эффект Миллера часто играет основную роль в спаде усиления, т.к. типичное значение емкости обратной связи около 4 пФ эквивалентно емкости в несколько сотен пФ, присоединенной к земле.

Существует несколько методов борьбы с эффектом Миллера. Например, он будет полностью устранен, если использовать усилительный каскад с общей базой.

Импеданс источника можно уменьшить, если подавать сигнал на каскад с заземленным эмиттером через эмиттерный повторитель. На рисунке показано еще две возможности.

В ДУ (без резисторов в коллекторе Т₁ ) эффект Миллера не наблюдается. Эту схему можно рассматривать как эмиттерный повторитель, подключенный к каскаду с заземленной базой.

На второй схеме показано каскодное включение транзисторов. Т₁- это усилитель с заземленным эмиттером, резистор Rн является общим коллекторным резистром. Транзистор Т₂ включен в коллекторную цепь для того, чтобы предотвратить изменение сигнала в коллекторе Т₁ (и тем самым устранить эффект Миллера) при протекании коллекторного тока через резистор нагрузки. Напряжение U₊ - это фиксированное напряжение смещения, обычно оно нак несколько вольт превышает напряжение на эмиттере Т₁ и поддерживает коллектор Т₁ в активной области. На рисунке показана лишь часть каскодной схемы, в нее можно включить зашунтированный эмиттерный резистор и делитель напряжения для подачи смещения на базу или охватить всю схему петлей ОС по постоянному току.

Паразитные емкости могут создавать и более сложные проблемы, чем те которые рассмотрели. В частности:

* спад усиления, обусловленный наличием емкости ОС и выходной емкости;

* входная емкость так же оказывает влияние на работу схемы даже при наличии мощного источника входных сигналов, ток протекающий через С_ЭБ не усиливается транзистором, т.е входная емкость "присваивает" себе часть входного тока, в следствии чего коэффициент усиления на высоких частотах снижается;

* дело осложняется и тем, что емкости переходов зависят от напряжения, особенно сильно меняется С_ЭБ;

* если транзистор работает как переключатель, то заряд, накопленный в области базы в режиме насыщения так же уменьшает быстродействие.