Входные характеристики ПТ.

Рассмотрим вначале n- канальный МОП- транзистор обогащенного типа, биполярным аналогом которого является N-P-N- транзистор.

В нормальном режиме сток относительно истока имеет положительный потенциал. Ток от стока к истоку отсутствует, пока на затвор (базу) не будет подано положительное по отношению к истоку напряжение.

На рисунке показано, как изменяется ток стока Ic в зависимости от напряжения сток- исток Uси, при нескольких значениях управляющего напряжения затвор- исток Uзи. Можно видеть значительное соответствие характеристик P-N-P- биполярного транзистора. Существенным отличием ПТ является то, что в нем затвор действительно изолирован от канала сток- исток, поэтому в отличие от БПТ, можно подавать на него напряжение положительное (или отрицательное) до 10 В и более, не заботясь о диодной проводимости.

Схема ключа на ПТ проще, чем на БПТ, поскольку здесь не надо заботиться о компромиссе между необходимостью задать соответствующий необходимый для переключения ток базы и исключить избыточное расходование энергии. Вместо этого мы всего лишь подаем на затвор, имеющий высокое полное входное сопротивление, высокое напряжение питания. Мощный МОП- транзистор имеет Rвх<0.2 Ом.

Здесь показана схема аналогового переключателя, которую вообще невозможно выполнить на биполярных транзисторах. Идея этой схемы состоит в том, чтобы переключать проводимость ПТ из разомкнутого состояния в замкнутое, тем самым блокируя и пропуская аналоговый сигнал. Биполярные транзисторы для такой схемы не пригодны, поскольку база проводит ток и образует с коллектором и эмиттером диоды, что приводит к опасному эффекту "защелкивания".

В сравнении с этим ПТ удивительно прост, единственное требование: чтобы на затвор было подано напряжение на несколько вольт выше, чем амплитуда аналогового сигнала.