МОП- транзисторы, ПТ с р- n- переходом.

У МОП- транзисторов затвор изолирован от проводящего канала тонким слоем SiO₂ (стекло), наращенного на канал. МОП- транзисторы называют полевыми транзисторами с изолированным затвором. Изолирующий слой довольно тонкий, обычно его толщина не превышает длины волны видимого света и он может выдержать напряжение затвора до +20 В и более. На затвор можно подавать напряжение любой полярности относительно истока и при этом через затвор не будет проходить никакой ток. Но они легко повреждаются статическим электричеством.

Здесь представлен дополнительный вывод, "подложка", образующий с каналом диодное соединение. Она может быть соединена с истоком или с точкой схемы, в которой напряжение ниже (выше), чем у истока n- канала (р- канала) МОП- транзистора.