ВАХ полевого транзистора с управляющим p-n переходом.

1)Выходные характеристики:зависимость Ic от Uси

Наступление более раннего перекрытия называется эффектом модуляции канала. В области пробоя существует перекрест характеристик. Пробой имеет лавинный характер.

2)Входные характеристики:зависимость Iз от Uзи Iз=f(Uзи)

Входные характеристики аналогичны обратной ветви p-n перехода. Особенность:существует зависимость тока от напряжения. Эта зависимость проявляется когда U>Uнас, тогда возможна дополнительная генерация носителей и увеличение

Iз. Зависимость Iз от Uзи при напряжении >3φ(c индексом T) получается очень слабая.Если напряжение больше половины ширины запрещенной зоны происходит инжекция токи резко возрастают и транзистор становится неработоспособным.

3)Переходная стоко-затворная характеристика:

В режиме насыщения характеристику можно аппроксимировать выражением:

(*)

2. Функциональная акустоэлектроника. Элементы на поверхностных акустических волнах.