Параметры модели Шихмана-Ходжеса

Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом на постоянном токе удовлетворительно описываются четырёхпараметрической статической математической моделью Шихмана-Ходжеса, устанавливающей связь выходного стокового тока транзистора с напряжениями затвор-исток и сток-исток [1].

Выходная вольтамперная характеристика (ВАХ) полевого транзистора состоит из двух участков А) и В), соответствующих двум режимам работы транзистора:

если ; (1)

если . (2)

Семейство выходных характеристик полевого транзистора для ПТУП показано на рис.2. Первый участок – участок и соответствующий ему режим называют триодным, второй участок - участок и соответствующий режим называют участком (режимом) насыщения или пологим участком. Параметрами модели являются . Теория предсказывает что , но в реальных транзисторах параметр n может быть отличным от 2. Параметр есть напряжение отсечки для ПТУП. Параметр совместно с параметром определяет выходное сопротивление транзистора в режиме насыщения. Определять параметры статической математической модели Шихмана-Ходжеса можно по выходным ВАХ, а можно и по производным от них. При нахождении этих параметров на пологой части ВАХ с низкой точностью определяется величина параметра . Семейство выходных характеристик полевого транзистора для ПТУП показано на рис.2. Это семейство обычно ограничено сверху (по максимальному значению тока стока) начальным током, т.е. током стока, при . Хотя этот параметр часто приводится заводом изготовителем в технических условиях, но т.к. этот параметр зависит от величины напряжения между стоком и истоком, то его вхождение в математическую модель транзистора нежелательно.

Рис.2. Выходные ВАХ полевого транзистора (ПТУП)